1 南通大学 电子信息学院, 江苏 南通 226019
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料和器件重点实验室, 上海 200083
为了研究延伸波长In0.8Ga0.2As PIN 短波红外探测器的温度响应光电特性, 采用闭管扩散的平面型器件工艺, 在金属有机化学气相外延(MOCVD)外延生长的NIN型InAs0.6P0.4/In0.8Ga0.2As/ InAs0.6P0.4 buf./InP材料上制备了正照射延伸波长256×1线列InGaAs红外焦平面探测器, 研究了探测器在不同温度下的I-V特性、光谱响应特性和探测率。结果表明, 随着温度的降低, 在小偏压下, 器件的正向暗电流由产生复合电流为主逐渐变为以扩散电流为主。在260~300 K温度范围内, 反向电流主要由扩散电流和产生复合电流组成, 当温度低于180 K时, 器件的反向电流主要为隧穿电流。室温下器件响应截止波长和峰值波长分别为2.57 μm和2.09 μm, 峰值探测率为7.25×108 cm·Hz1/2/W, 峰值响应率为0.95 A/W, 量子效率为56.9%。焦平面的峰值探测率在153 K达到峰值, 约为1.11×1011 cm·Hz1/2/W, 响应非均匀性为5.28%。
延伸波长 红外焦平面 变温 extended-wavelength InGaAs InGaAs IRFPA temperature-dependent 红外与激光工程
2018, 47(5): 0504004
1 南通大学电子信息学院, 江苏 南通 226019
2 兴县教育局瓦塘教办, 山西 兴县 033600
3 南通大学通科微电子学院, 江苏 南通 226000
通过共沉淀法,在室温下合成了Eu
3+掺杂氧化钼锌水合物的前驱体。研究了烧结温度对该前驱体的微结构和光致发光性能的影响。研究结果表明,在约400 ℃温度下,通过低成本地烧结Eu
3+掺杂水合物前驱体,可得到Eu
3+掺杂的纳米ZnMoO4结构。
材料 ZnMoO4 烧结 形貌 光致发光
1 南通大学 电子信息学院, 江苏 南通 226019
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料和器件重点实验室, 上海 200083
采用扫描电容显微镜分析了平面型PIN In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/ In0.52Al0.48As短波红外探测器盲元产生的原因, 利用半导体器件仿真工具Sentaurus TCAD对探测器中的盲元特性进行了模拟, 并利用制备的Au/P-In0.52Al0.48As传输线结构芯片对P电极的欧姆接触进行优化.研究结果表明, P电极与扩散区外的N－-In0.52Al0.48As帽层形成导电通道导致了盲元的产生, 优化后Au与P-In0.52Al0.48As帽层之间具有更低的比接触电阻为3.52×10－4 Ω·cm－2, 同时Au在高温快速热退火过程中的流动被抑制, 从而降低了盲元产生的概率.
短波红外探测器 盲元 比接触电阻 Short wavelength infrared detector InGaAs InGaAs Blind pixel Special contact resistivity Au Au
