介绍了新型半导体开关漂移阶跃恢复二极管(DSRD)的工作原理和特性，总结了基于半导体开关器件的脉冲源的发展现状及应用。基于DSRD的等效模型，建立了其正反向泵浦电路的仿真模型，按照输出电压参数的要求，对主储能电感、初级储能电感的取值进行了仿真计算分析，并得到了主回路各元件参数的最优值。通过仿真分析了MOSFET漏源端寄生电容与限压并联电容对输出参数的影响，得到了限压并联电容最优值为0.2 nF，通过计算与仿真得到隔直电容的最优值为100 pF。研制了一款可连续输出的脉冲功率源，其重复频率为1 MHz，脉冲前沿等于680 ps(20%~90%)，电压幅值2 kV，半高宽1.5 ns。

对种子源结构进行了优化设计,为了缩短充电时间,在现有的电容和DC变换器基础之上，选用单片机作为控制芯片，利用其脉冲宽度调制(PWM）输出功能产生用于控制DC变换器的线性电压。对单片机PWM输出转化为线性控制电压的性能以及控制DC变换器恒流充电的可行性开展了实验研究。实验结果表明，基于PIC单片机的种子源储能可以达到250 J，充电时间缩短到6 min以内，满足实验要求。

根据爆磁压缩发生器中导电体工作条件, 对比了电枢和含铝炸药爆轰产物作为导电体的异同, 得出几种高电导率含铝炸药爆轰产物对应的磁雷诺数, 分析了含铝炸药爆轰产物代替电枢压缩磁场的可能性。设计了一种含铝炸药爆轰产物导电式螺线型爆磁压缩发生器, 分析其运行过程, 得出等效电路模型。数值模拟结果表明:相比于电枢作为导电体的传统螺线型爆磁压缩发生器, 同体积条件下高电导率含铝炸药爆轰产物导电式爆磁压缩发生器具有更好的输出性能;该设计可以有效地抑制跳匝、电枢与定子线圈短路点接触不良等容易引起磁通损失的问题。