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为了揭示微通道板电压的变化对微光像增强器信噪比的影响，进一步优化像增强器的性能，分别测试出超二代和三代微光像增强器的信噪比随微通道板的电压变化曲线，前者在微通道板电压为600V～800V时，信噪比单调增加到25.9，在800V～900V时，信噪比在25上下震荡并呈下降趋势，在900V～1000V时，迅速下降到21.8；而后者当MCP电压在800V～1000V时，单调增加到27.87，在800V～1180V时，则在26.61～28.66之间震荡。通过对微通道板噪声因子的理论分析，指出进一步降低微通道板噪声因子，改善微光像增强器信噪比的方法。
微通道板 微光像增强器 信噪比 噪声因子 microchannel plate LLL image intensifier signal-to-noise ratio noise factor
