硫硒化锑（Sb₂（S，Se）₃）薄膜太阳电池因其制备方法简单、原材料丰富且低毒、性能稳定等本征优势成为研究热点。目前Sb₂（S，Se）₃太阳电池最高效率已超过10%，显示出产业化潜力。Sb₂（S，Se）₃太阳电池的研究重点是提高吸光层质量和优化器件结构。首先，系统介绍了Sb₂（S，Se）₃薄膜的主流生长工艺；其次，对Sb₂（S，Se）₃太阳电池各功能层选择和渐变带隙结构设计进行分析；最后，对Sb₂（S，Se）₃太阳电池的大面积制备和其在锑基多结叠层太阳电池中的应用潜力做了进一步展望，为其产业化发展提供可行性参考。

钙钛矿太阳能电池（PeSCs）因其高效率、低成本和简单的制备工艺而被认为是最有前途的光伏技术之一。PeSCs的能量转换效率和稳定性很大程度上取决于钙钛矿薄膜的质量和器件中的界面，它们是PeSCs非辐射复合损失的主要来源。天然生物材料具有丰富的资源、无毒和生物相容性等优点，在改善PeSCs的钙钛矿层和界面方面显示出巨大的潜力。本文综述了利用天然生物材料实现高性能PeSCs的最新进展。首先讨论天然生物材料在钙钛矿薄膜的形貌优化、缺陷钝化和能级调控方面的作用；同时，讨论利用天然生物材料优化钙钛矿和电荷传输层之间的界面，以及构建可拉伸、可生物相容和可生物降解的电极的策略；最后，展望PeSCs在天然生物材料方面的进一步发展。

铜铟镓硒（Cu（In，Ga）Se₂，CIGS）太阳电池产业化受到全世界广泛关注。作为高转换效率薄膜电池，其效率可与晶硅电池相比，目前最高效率达到23.35%。对于小面积实验室电池而言，研究重点是精确控制吸收层的化学计量比和效率；对于工业化生产而言，除化学计量比和效率外，成本、重现性、产出和工艺兼容性在商业化生产中至关重要。重点介绍了不同制备工艺、吸收层组分梯度调控、碱金属后沉积处理、宽带隙无镉缓冲层、透明导电层和柔性衬底等研究进展。从CIGS电池的效率来看，将实验室创纪录的高效电池技术转移到平均工业生产水平带来显而易见的挑战。

InN是三五族半导体中唯一具有超导性质的材料，在超导体/半导体混合器件领域具有重要的应用价值。运用磁输运的方法，系统性地研究了磁通钉扎对InN超导性质的影响。通过对超导转变过程中的I-V曲线进行标度，发现InN超导中存在涡旋液体态到涡旋玻璃态的相变。在涡旋液体态，用热激活磁通蠕动模型分析了磁通运动的机制，发现InN超导中存在单磁通钉扎到集体钉扎的转变；在涡旋玻璃态，首先对临界电流与温度的关系进行了分析，确定了InN超导中主要的磁通钉扎机制：δL钉扎。然后对临界电流与磁场的关系进行了分析，发现临界电流在磁场下的迅速衰减是集体钉扎所导致的结果。最后，基于Dew-Hughes模型，对钉扎力与磁场强度的依赖关系进行了分析，发现InN中的钉扎中心的主要是点钉扎。该研究为提高InN的临界电流密度奠定基础。

报导了在c-Al₂O₃衬底上用脉冲激光沉积法制备MoS₂薄膜，并测试了其不同温度下的光响应。通过拉曼散射光谱和X射线衍射光谱证明了所制备的二硫化钼为纯2H相。通过X光电子能谱证明了所制备的二硫化钼硫钼原子比为1.92：1，在Mo元素的3d核心能级谱中存在红移和蓝移，说明薄膜中存在氧化和硫缺陷。此外，通过拉曼和光致发光分布图，证明了薄膜具有良好的均一性。在不同层数的二硫化钼样品中，单层二硫化钼样品具有最强的光响应，达到3 mAW^-1。单层二硫化钼的变温光响应实验表明，在室温附近，温度升高会提高二硫化钼的光响应强度和响应时间。

磷烯因其层数可调的带隙、高的载流子迁移率及面内各向异性等优点为构建基于二维材料的光电子器件提供了新的选择。用时域有限差分法数值模拟了磷烯π型级联和紧凑结构中的等离激元诱导透明现象，通过改变结构分布及磷烯的费米能级等参数，实现了中红外到远红外的宽范围可调谐等离激元诱导透明。其中，透明窗口数目、强度以及位置均实现了灵活调制。此外，研究了诱导透明窗口对偏振角敏感的特性。所得结果为开发基于磷烯等离激元的生物传感器、光电探测器及光开关等提供了参考。

利用太赫兹瞬态光谱研究了La_0.7Ca_0.3MnO₃薄膜的热力学性质。La_0.7Ca_0.3MnO₃薄膜的金属-绝缘体相变温度在260 K左右，与铁磁-顺磁相变温度几乎相同。结果表明，La_0.7Ca_0.3MnO₃薄膜的电导率与薄膜中磁矩取向密切相关。研究发现在40～200 K的低温范围内，La_0.7Ca_0.3MnO₃薄膜的电导率可以用Drude模型拟合，在210～290 K的高温范围内可以用Drude-Lorentz模型拟合。