1 华信咨询设计研究院有限公司，杭州 310014
2 中国移动通信集团湖北有限公司，武汉 430000
【目的】光交叉连接（OXC）技术解决了光传送网（OTN）系统电交叉能力不足的部分问题以及固定光分插复用器（FOADM）/可重构光分插复用器（ROADM）板卡间复杂的手工连纤和调度不灵活问题。文章研究了如何在OTN城域网（MAN）中引入OXC技术提升网络的灵活性，并解决了OXC过于集中带来的一些网络安全问题。
【方法】文章介绍了OXC技术的优势，综述了现网OTN系统的架构以及承载业务的安全配置模式。通过建立各种OXC应用模型，比较分析了各类模型的灵活性和安全性等。
【结果】在现网中进行测试，并总结各类模型评价指标，找出了最优的应用方案。
【结论】文章创新地提出了一种基于OXC的全光MAN建设模型以促进OXC技术的应用发展，加强算力间的调度能力，形成算网一体化新型基础设施，为用户提供了低时延、高可靠、端到端的算力连接。
全光城域网 光传送网 光交叉连接 可重构光分插复用器 固定光分插复用器 all-optical MAN OTN OXC ROADM FOADM
1 吉林大学新能源与环境学院, 长春 130021
2 吉林大学石油化工污染场地控制与修复技术国家地方联合工程实验室, 长春 130021
3 北京建工环境修复股份有限公司, 北京 100020
4 生态环境部对外合作与交流中心, 北京 100035
针对有机污染物和无机金属离子复合地下水污染源的阻截问题, 本文提出了一种以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为改性剂的地质聚合物阻截墙材料设计方法, 并研究了改性剂掺加量对地质聚合物渗透系数、兼容性能、吸附能力及抗压强度的影响。结果表明: 改性地质聚合物在保持良好渗透系数、兼容性能及抗压强度的前提下, 对苯酚-六价铬复合地下水污染源表现出较高的吸附能力, 可作为一种经济有效的阻截墙材料; 当水玻璃掺量为8%(质量分数)、水玻璃模数为1.0、水灰比为0.30、CTAB掺加量为2.0%(质量分数)时, 样品渗透系数为4.61×10-8 cm/s, 抗压强度为6.25 MPa, 对苯酚和Cr(VI)的去除率可分别达57.51%和28.18%。此外, 随CTAB掺加量增大, 改性地质聚合物渗透系数、吸附能力呈上升趋势, 抗压强度则呈下降趋势, 试块表观均未出现劣化现象。
地质聚合物 十六烷基三甲基溴化铵 阻截墙 凝结时间 渗透系数 吸附能力 geopolymer cetyltrimethylammonium bromide interception wall setting time permeability coefficient adsorption performance
强激光与粒子束
2023, 35(3): 034003
江苏兴力工程管理有限公司, 江苏 南京 210000
电网运维过程中的带电作业虽然保证了电网的不间断运行, 但相较于传统的方法也增加了作业人员和机械设备的危险性, 实时准确监测电场环境、在电场过强时对电力人员实时报警, 对电力人员的安全具有重要的意义。通过有限元的方法, 以110 kV输电线路为例, 研究了带电作业人体在极限安全距离下对高压工频电场测量的影响。对比了位于输电线路上、下、侧三个方位有无人体时的电场测量差异性, 且计算了带电作业人员不同身体部位的电场差异性。三个方位有无人体时的电场测量差异最大可达183.08%, 因此电场报警装置应考虑人体对电场畸变的影响以及人体监测方位和位置对报警阈值进行修正。
带电作业 作业位置 安全距离 报警阈值 电场计算 live working working location safety distance alarm threshold electric field calculation
1 中国科学院上海光学精密机械研究所微纳光电子功能材料实验室，上海 201800
2 中国科学院大学材料与光电研究中心，北京 100049
3 苏州科技大学材料科学与工程学院，苏州市微纳光电材料与传感器重点实验室，江苏 苏州 215009
运动平行度是运动台的核心参数之一，对运动台性能有直接影响。提出一种基于光斑图像的测量方法用于精确测量运动平行度。在理论推导和分析的基础上，搭建了一套精度优于50 nm的运动平行度测量系统。在此测量系统上对运动台进行运动平行度测量，运动平行度误差为11.66 μm。在根据上述结果对运动台进行优化后，最佳运动平行度误差可以达到6.22 μm。为了验证所提方法的可行性，使用位移传感器再次测量运动平行度。位移传感器测量结果与光斑图像法测量结果的均方根误差优于248 nm，即两种测量结果基本一致。
测量 表面测量 运动平行度 光斑图像法 图像处理 光学系统 光学学报
2022, 42(19): 1912005
中国工程物理研究院 流体物理研究所，四川 绵阳 621900
光阴极注入器为X射线自由电子激光提供高品质电子束团，其中，阴极面上电子发射的均匀性在很大程度上影响着电子束团的束流品质，实验中常通过测量光阴极量子效率分布来评估电子发射的均匀性。成像法测量光阴极量子效率分布时具有实时、高分辨的特点，目前，此方法只在电磁分离型光阴极注入器中有所应用。探索成像法在电磁叠加型光阴极注入器中应用的可行性，采用理论分析结合数值模拟的方法，研究结果显示成像法适用于电磁叠加型光阴极注入器，且由此获得的量子效率分布具有阴极面中心位置处分辨率优于外层的特点。此外，针对成像法在初始束团横向动量分布测量中的应用进行模拟计算分析，并在此基础上提出一种判断阴极面剩余磁场是否为零的方法。
量子效率 成像法 叠加场 注入器 quantum efficiency imaging method overlapping field injector 强激光与粒子束
2022, 34(10): 104017
1 先进驱动节能技术教育部工程研究中心，四川 成都 610031
2 西南交通大学机械工程学院，四川 成都 610031
针对转向架侧架空间狭小以及不确定光照条件下难以通过传统的视觉系统及算法实现枕簧端面缺口定位的问题，本团队提出了一种基于线激光光斑特征的枕簧缺口视觉间接定位方法。通过对K6型转向架承载弹簧和减振弹簧这两类枕簧外簧第一、第二层簧圈的尺寸特征进行分析，并采用最小二乘法拟合尺寸数据，分别建立了两类枕簧簧圈高度比值与枕簧端面缺口方位对应关系的数学模型。采用YOLOv3-tiny目标检测算法实现了复杂背景下枕簧的检测与感兴趣区域(ROI)的分割，基于阈值分割和边界框拟合算法提出了激光光斑高度自适应求解方法，该方法提升了定位方法的灵活性。试验结果表明，所提方法的定位精度在－5°～＋5°以内，单次定位时间不超过0.15 s，而且对光照强度的变化具有很强的鲁棒性。
测量 枕簧缺口 线激光 YOLOv3-tiny目标检测算法 视觉定位 鲁棒性 中国激光
2022, 49(17): 1704002
强激光与粒子束
2022, 34(5): 054002
红外与激光工程
2022, 51(4): 20210996
Author Affiliations
Abstract
1 Suzhou Key Laboratory for Nanophotonic and Nanoelectronic Materials and Its Devices, School of Materials Science and Engineering, Suzhou University of Science and Technology, Suzhou 215009, China
2 State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China
3 School of Electronic & Information Engineering, Suzhou University of Science and Technology, Suzhou 215009, China
An AgGeSbTe thin film is proposed as a negative heat-mode resist for dry lithography. It possesses high etching selectivity with the etching rate difference of as high as 62 nm/min in mixed gases. The etched sidewall is steep without the obvious lateral corrosion. The lithographic characteristics and underlying physical mechanisms are analyzed. Besides, results of X-ray diffraction, Raman spectroscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy further indicate that laser irradiation causes the formation of Ge, Sb, and AgTe crystals, which is the basis of etching selectivity. In addition, the etching selectivity of Si to AgGeSbTe resist is as high as 19 at mixed gases, possessing good etching resistance. It is believed that the AgGeSbTe thin film is a promising heat-mode resist for dry lithography.
thin film heat-mode resist lithography Chinese Optics Letters
2022, 20(3): 031601
