武汉高芯科技有限公司从 2014年开始制备基于 InAs/GaSbII类超晶格的长波红外探测器。在本文中, 报道了像元规模为 640×512, 像元间距为 15.m的长波红外焦平面探测器。在 77 K时, 器件的 50%截止波长为 10.5 .m, 峰值量子效率为 38.6%, 当 F数为 2、积分时间为 0.4 ms时, 测得器件的噪声等效温差为 26.2 mK, 且有效像元率达 99.71%。本文通过分子束外延(molecular beam epitaxy, MBE)技术与成熟的 III-V族芯片技术, 成功地验证了在大于 10 .m的长波波段, 用超晶格代替 HgCdTe实现国产化并大规模量产的可行性。

以国产MW KGC04 型640×512 中波凝视热像仪整机的研制项目为基础，对探测器前端驱动电路中的3 种主要噪声——传输网络噪声，偏置电压噪声和信号调理放大器噪声特性进行了深入的分析，结合MW KGC04 探测器的主要性能指标，通过理论分析了前端驱动电路噪声的来源，并结合各部分的噪声模型加以推导，最终提出了行之有效的降低这3 种主要噪声的方法，并且已经在实际的工程应用上收到的成果。