作者单位
摘要
1 西安工业大学光电工程学院 西安 710021
2 陕西科技大学食品与生物工程学院 西安 710021
3 中国北方车辆研究所 北京 100072
为了探究低能N+注入对大肠杆菌16S rRNA遗传进化与耐药表征的作用,本研究利用低能N+注入诱变筛选耐药大肠杆菌,通过基因组de novo测序获得其16S rRNA基因序列,通过K-B法检测诱变菌株的耐药特征。结果共诱变获得了25株耐药菌株,其中5株诱变菌16S rRNA基因分别出现片段缺失,点突变(A257C),GC%含量增高,二级结构变异,并获得多药耐药特性。结果提示:低能N+注入可以驱动大肠杆菌16S rRNA基因的随机突变和进化,进而调节耐药基因从头合成或变异,使大肠杆菌耐药性改变。
低能N+注入 大肠杆菌 16SrRNA 耐药性 Low-energy N+ ion implantation Escherichia coli 16S rRNA Antibiotic resistance simulation 
辐射研究与辐射工艺学报
2024, 42(1): 010301
何苗 1,2周易 1,2,3,*应翔霄 2梁钊铭 2[ ... ]陈建新 2,3
作者单位
摘要
1 上海理工大学,上海 200433
2 中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083
3 国科大杭州高等研究院 物理与光电工程学院,浙江 杭州 310024
II类超晶格红外探测器一般通过台面结实现对红外辐射的探测,而通过离子注入实现横向PN结,一方面材料外延工艺简单,同时可以利用超晶格材料横向扩散长度远高于纵向的优势改善光生载流子的输运,且易于制作高密度平面型阵列。本文利用多种材料表征技术,研究了不同能量的Si离子注入以及退火前后对InAs/GaSb II类超晶格材料性能的影响。研究通过Si离子注入,外延材料由P型变为N型,超晶格材料中产生了垂直方向的拉伸应变,晶格常数变大,且失配度随着注入能量的增大而增大,注入前失配度为-0.012%,当注入能量到200 keV时,失配度达到0.072%,超晶格部分弛豫,弛豫程度为14%,而在300 °C 60 s退火后,超晶格恢复完全应变状态,且晶格常数变小,这种张应变是退火引起的Ga-In相互扩散以及Si替位导致的晶格收缩而造成的。
InAs/GaSb II类超晶格 离子注入 平面结 退火 HRXRD InAs/GaSb Type II superlattice ion implantation planar junction annealing HRXRD 
红外与毫米波学报
2024, 43(1): 15
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
2 上海科技大学 信息科学与技术学院,上海 201210
As在HgCdTe材料中具有较小的扩散系数,可以形成较为稳定的结构,广泛应用于HgCdTe的p型掺杂。在p-on-n型碲镉汞红外探测器的制备中As掺杂是重要的制备方法。针对在制备过程中存在无法精确测量As激活率的问题,提出采用低温弱p型退火辅助差分霍尔测试的方法,获得了载流子浓度分布,从而通过与SIMS测试结果对比得到长、中波液相外延HgCdTe样品中As的激活率,并分析了退火等工艺对As掺杂后激活率的影响。
液相外延 碲镉汞 As离子注入 激活率 弱p型退火 LPE Hg1-xCdxTe As ion implantation activation rate weak p-type annealing 
半导体光电
2023, 44(4): 568
作者单位
摘要
华北光电技术研究所, 北京 100015
作为pn结成型的重要参数, 离子注入温度对晶格缺陷和材料扩散的影响较大。在碲镉汞的离子注入过程中, 注入温度很大程度上影响着注入区的尺寸与光刻掩膜的形貌。从离子注入工艺的温度控制出发, 研究了该工艺中的束流、注入能量、接触面粗糙度等因素;结合器件的I-V曲线, 探究了注入温度对碲镉汞红外探测器性能的影响。结果表明, 较低的注入束流、冷却温度以及良好的导热面, 可以保证实际注入温度低于光刻胶的耐受温度, 从而提高工艺过程的成品率。同时, 较低的注入温度对于减小暗电流及注入区扩散面积起到了一定的作用, 提高了碲镉汞红外探测器光敏元的性能。
离子注入 碲镉汞 注入温度 I-V曲线 ion implantation HgCdTe implantation temperature I-V curve 
红外
2023, 44(2): 13
吴凌 1,2谭继 1钱仕 1,3葛乃建 4刘宣勇 1,2,3,*
作者单位
摘要
1 1.中国科学院 上海硅酸盐研究所 高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室, 上海 200050
2 2.中国科学院大学 材料科学与光电工程中心, 北京 100049
3 3.慈溪生物材料表面工程中心, 宁波 315300
4 4.海军军医大学 东方肝胆外科医院, 上海 200438
镍钛合金血管支架植入后可引发血栓和支架再狭窄, 且对损伤的血管内壁无修复作用, 需进行表面改性赋予其抗凝血和促内皮化生物学功能。本研究采用等离子体浸没离子注入与沉积(PIII&D)技术将钽(Ta)注入至镍钛合金, 研究Ta离子注入对镍钛表面理化特性及生物学性能的影响规律。结果表明, 调控Ta离子注入时间, 可在镍钛表面分别构建含Ta、Ta/Ta2O5、Ta/Ta2O5-x/Ta2O5三种不同组分的改性层。各种改性样品中, 含Ta/Ta2O5-x/Ta2O5的改性镍钛表面亲水性均更好, 可提供更多细胞附着位点, 促进人脐静脉内皮细胞早期粘附和铺展, 并提高其增殖能力。相比仅含单质Ta的改性镍钛表面, 含Ta/Ta2O5-x/Ta2O5改性镍钛表面的血液相容性更高, 血小板粘附数量显著减少, 且基本保持为未被激活的球形状态; 各组改性表面的溶血率远低于5%阈值, 均未发生明显溶血现象。上述结果说明, Ta离子注入改性镍钛血管支架在降低血栓形成、加速内皮化方面具有潜在应用。
镍钛合金  离子注入 血液相容性 nitinol tantalum ion implantation hemocompatibility 
无机材料学报
2022, 37(11): 1217
作者单位
摘要
1 中国工程物理研究院 研究生院,四川 绵阳 621900
2 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,四川 绵阳 621900
为了有效抑制聚四氟乙烯(PTFE)材料表面电荷积聚、进一步提升其沿面耐压性能,采用射频产生氮等离子体对其表面进行等离子体浸没离子注入。注入过程中改变射频功率、脉宽、脉冲幅值等参数实现对PTFE样品表面的不同改性效果。通过测试其注入前后的X射线光电子能谱、表面形貌、表面电阻率、表面电位衰减特性、表面陷阱能级及其密度分布,较为系统地研究了不同注入参数对聚四氟乙烯样品表面成分、表面电荷积聚和消散特性的影响。结果表明:注入过程中,氮离子主要通过自身动能促使聚四氟乙烯材料表面分子结构发生破裂和重组来实现表面改性而并非通过化学反应引入新成分,注入氮离子的动能以及数量是决定表面改性效果的主要因素。随着射频源功率增加,射频源对氮气利用效率得到提升,其处理效果饱和点由100 W射频功率下的20 cm3/min升至400 W射频功率下的30 cm3/min,相应表面电阻率由100 W-10 cm3/min条件下的最大值 $ 3.3\times {10}^{16}\;\mathrm{\Omega }/\mathrm{m}{\mathrm{m}}^{2} $降至400 W-30 cm3/min条件下的最小值 $ 1\times {10}^{15}\;\mathrm{\Omega }/\mathrm{m}{\mathrm{m}}^{2} $,并且表面电荷消散速度由6%增加至68%,同时积聚量最多减少了18.6%。另外,随着外施脉冲电压由3 kV-25 μs升至7 kV-75 μs,表面电阻率最多下降了89%,表面电荷消散速度由4%增加至58%,积聚量最多减少了23.7%。进一步分析表明,经氮离子注入处理的聚四氟乙烯材料表面陷阱能级变浅,加速了表面电荷脱陷,而降低的表面电阻率也促进了脱陷的表面电荷沿面传导,最终使得表面电荷消散加快。
聚四氟乙烯 氮离子注入 表面电荷 积聚消散 表面电阻率 表面陷阱特性 polytetrafluoroethene nitrogen ion implantation surface charge accumulate and dissipate surface resistivity surface trap characteristic 
强激光与粒子束
2022, 34(12): 125001
作者单位
摘要
1 长春理工大学物理学院,高功率半导体激光国家重点实验室,长春 130022
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台, 苏州 215123
超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在高掺杂时存在空穴迁移率迅速下降的问题;n型金刚石目前主流的掺杂元素是磷,还存在杂质能级深、电离能较大的问题,以及掺杂之后金刚石晶体中的缺陷造成载流子浓度和迁移率都比较低,电阻率难以达到器件的要求。因此制备高质量的p型和n型金刚石成为研究者关注的焦点。本文主要介绍金刚石独特的物理性质,概述化学气相沉积法和离子注入法实现金刚石掺杂的基本原理和参数指标,进而回顾两种方法进行单晶金刚石薄膜p型和n型掺杂的研究进展,系统总结了其面临的问题并对未来方向进行了展望。
金刚石 离子注入 化学气相沉积 超宽禁带半导体 掺杂 n型 p型 diamond ion implantation chemical vapor deposition ultra-wide band gap semiconductor doping n-type p-type 
人工晶体学报
2022, 51(5): 841
作者单位
摘要
1 苏州科技大学物理科学与技术学院, 江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室, 苏州 215009
2 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800
3 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 苏州 215123
采用离子注入法制备了不同剂量的β-Ga2O3∶Eu3+样品, 并在空气中进行了退火处理, 成功实现了Eu3+的光学激活。通过拉曼和X射线衍射表征了β-Ga2O3晶体随Eu3+注入剂量的应力变化趋势, 发现随着Eu3+剂量的增加, 晶格应力先增加后减少, 并对其内在机理进行了分析。利用阴极荧光光谱对晶体的发光性质进行了表征, 主要观察到峰值位于380 nm附近、宽的缺陷发光峰以及峰值位于591 nm、597 nm和613 nm的Eu3+发光峰。通过高斯拟合发现, 该380 nm发光峰主要由360 nm、398 nm和442 nm三个子峰构成, 分别与自陷激子和施主-受主对有关。此外, Eu3+发光峰位置与强度受到基质局域晶体场的影响。
氧化镓  应力 发光性质 缺陷 离子注入 高斯拟合 gallium oxide europium stress luminescent property defect ion implantation Gaussian fitting 
人工晶体学报
2022, 51(4): 600
Author Affiliations
Abstract
1 School of Science, Shandong Jianzhu University, Jinan 250101, China
2 Shandong Key Laboratory of Optical Communication Science and Technology, School of Physical Science and Information Technology, Liaocheng University, Liaocheng 252059, China
3 Shandong Provincial Engineering and Technical Center of Light Manipulations & Shandong Provincial Key Laboratory of Optics and Photonic Device, School of Physics and Electronics, Shandong Normal University, Jinan 250014, China
4 School of Physics, Shandong University, Jinan 250100, China
Lithium niobate (LiNbO3, LN) channel and ridge waveguides have been successfully fabricated by He ion implantation, which has energy of 500 keV and fluence of 1.5×1016 ions/cm2 and is combined with lithography and the precise diamond dicing technique. The refractive index profile of the annealed LN planar waveguide was reconstructed. The propagation loss of the channel waveguide with a width of 10 µm and that of the ridge waveguides with widths of 25 µm and 15 µm were investigated by the end-face coupling method. In our work, the factors that affect the waveguide properties of channel and ridge waveguides were revealed.
lithium niobate waveguides ion implantation ridge waveguide channel waveguide 
Chinese Optics Letters
2022, 20(7): 071301
作者单位
摘要
1 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
2 青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,西安 710000
本文对70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺、钝化性能及光伏特性进行了研究。确定了70 nm超薄多晶硅的掺杂工艺,研究表明当离子注入剂量为3.2×1015 cm-3,在855 ℃退火20 min时,70 nm超薄多晶硅的钝化性能可以达到与常规120 nm多晶硅相当的水平,且70 nm多晶硅的表面掺杂浓度达到5.6×1020 atoms/cm3,远高于120 nm掺杂多晶硅的表面掺杂浓度(2.5×1020 atoms/cm3)。基于70 nm超薄多晶硅厚度减薄和高表面浓度掺杂的特点,较低的寄生吸收和强场钝化效应使得在大尺寸(6英寸)直拉单晶硅片上加工的N型TOPCon太阳能电池的光电转换效率得到明显提升,主要电性能参数表现为: 电流Isc升高20 mA,串联电阻Rs降低,填充因子FF增加0.3%,光电转换效率升高0.13%。
TOPCon太阳能电池 多晶硅 掺杂 离子注入 钝化接触 寄生吸收 光电转换效率 TOPCon solar cell poly-silicon doping ion implantation passivation contact parasitic absorption photoelectric conversion efficiency 
人工晶体学报
2022, 51(3): 434

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