南京理工大学 电子信息工程与光电技术学院,南京 210094
讨论了信号载流子倍增寄存器(CCM)结构及其工作原理, 在此基础上建立了电子倍增CCD的碰撞电离模型.通过对CCM倍增结构的研究发现实现倍增的三个必要条件：适中的倍增级电场、适当的浅掺杂浓度以及与电子碰撞平均自由程相当的倍增距离.通过建模研究均匀场强中增益情况表明增益因子为0.01时对应的偏置电压接近EMCCD所用倍增电压.
电子倍增 片上增益 静态感应器件 EMCCD EMCCD Electron multiplying Gain on chip Static induction transistor
