系统对比了氮化铝(AlN)、氮化硼(BN)和氮化硅(Si3N4)3种氮化物基片与石墨基片在耐高温性能及玻璃液润湿性方面的差异。实验结果发现,在1 200 ℃的空气气氛中,BN基片展现出与氮气保护下的石墨基片相当的非润湿性,其接触角可达148.0°,显著高于石墨基片的135.9°。表面张力测试结果显示,在空气气氛中,采用BN基片测得的E玻璃液表面张力为321.4~322.4 mN/m,相较于在氮气气氛中使用石墨基片测得的结果,降低了4.3~4.4 mN/m。因此,BN基片能够在非保护性气氛环境中替代石墨材料,用于玻璃液表面张力的测试,为高温玻璃熔体性能的表征提供了一种新的技术方案。
玻璃液 非润湿行为 氮化铝 氮化硼 氮化硅 glass melt non-wetting behavior AlN BN Si3N4

Author Affiliations
Abstract
1 CAS Key Laboratory of Quantum Information, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China
2 Department of Chemical Physics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China
3 CAS Center for Excellence in Quantum Information and Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China
We experimentally demonstrate an optical isolator utilizing high-quality-factor whispering gallery modes in a yttrium iron garnet (YIG) microsphere, coupled with an integrated Si3N4 waveguide. By applying a magnetic field in the vertical direction of the resonator equator, we achieve the breaking of degeneracy between the clockwise (CW) and counterclockwise (CCW) modes, driven by photonic spin–orbit coupling (SOC) and the Faraday effect. The maximum wavelength separation observed is about 7.9 pm, comparable with the linewidth of the mode. The better effect of the refractive index matching between the YIG microsphere and the Si3N4 waveguide enables an isolation ratio of 16.9 dB under the critical coupling condition. This work presents a novel integrated approach for realizing non-reciprocity in photonic circuits, advancing the development of compact high-performance photonic devices.
yttrium iron garnet microsphere optical isolator Si3N4 waveguide Chinese Optics Letters
2025, 23(5): 052601
1 1.中国科学院 上海硅酸盐研究所, 高性能陶瓷与超微结构国家重点实验室, 上海 200050
2 2.中国科学院大学 材料与光电研究中心, 北京 100049
碳化硅纤维增强碳化硅陶瓷基(SiC/SiC)复合材料具有低密度、耐高温、高强度等优异性能, 在热端部件结构材料领域具有广泛应用前景。本研究通过溶胶-凝胶法在SiC纤维束内引入Yb2Si2O7抗氧化相, 并结合化学气相沉积(CVD)法沉积SiC基体, 制备了Yb2Si2O7改性SiC/SiC(SiC/SiC-Yb2Si2O7)复合材料, 讨论了Yb2Si2O7对SiC/SiC复合材料微观结构、力学性能及氧化行为的影响。结果表明, SiC/SiC复合材料经过1200和1400 ℃空气氧化50 h后的强度保持率分别为77%和69%, 拉伸断口处观察到纤维基体平齐断裂。溶胶-凝胶法引入的Yb2Si2O7在基体中部分呈层状分布, 层状Yb2Si2O7相有利于材料的增韧, 拉伸断口处出现层间脱黏现象, 扩展了SiC/SiC复合材料能量耗散机制。SiC/SiC-Yb2Si2O7复合材料的室温拉伸强度为484 MPa, 在1200和1400 ℃空气中氧化50 h后的剩余强度分别为425和374 MPa, 强度保持率分别为88%和77%, 仍表现出典型的非脆性断裂特征。SiC/SiC复合材料断口处界面氧含量大于SiC/SiC-Yb2Si2O7复合材料, 说明引入Yb2Si2O7缓解了氧向界面内的扩散, 改善了SiC/SiC-Yb2Si2O7复合材料的抗氧化性能。
SiC/SiC复合材料 基体改性 Yb2Si2O7 氧化行为 SiC/SiC mini-composite matrix modification Yb2Si2O7 oxidation behavior
红外与激光工程
2025, 54(3): 20240470
红外与激光工程
2024, 53(8): 20240168
【目的】为了解决偏振不敏感光分束器带宽受限问题,文章提出了一种基于氮化硅(Si3N4)波导的超宽带偏振不敏感光分束器。
【方法】所提光分束器采用绝热耦合波导结构设计,可在1 400~1 700 nm波长范围内实现横电(TE)模式和横磁(TM)模式的光均匀分束(光学带宽为300 nm)。
【结果】在工作波长范围内,TE和TM模式的损耗分别小于0.10和0.15 dB。而且文章所提光分束器的结构尺寸小,仅为60.00 μm×2.75 μm,便于实现大规模集成。此外,文章还研究了所提光分束器各结构参数对器件性能的影响。
【结论】仿真结果显示,各结构参数在±50 nm的范围内变化时,对光分束器的性能基本没有影响,表示该超宽带偏振不敏感光分束器具备较大的制备容差,易于制备。
氮化硅波导 光分束器 偏振不敏感 Si3N4 waveguide optical power splitter polarization insensitive 光通信研究
2024, 50(4): 23013101
1 1.国防科技大学 空天科学学院 新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室, 长沙 410073
2 2.国防科技大学 前沿交叉学科学院, 长沙 410073
3 3.中国科学院 上海硅酸盐研究所, 上海 200050
功率半导体器件高电压、大电流、高功率密度的发展趋势, 对器件中陶瓷基板的散热能力和可靠性提出了更高的要求, 兼具高热导率和优异力学性能的氮化硅陶瓷作为功率半导体器件的首选散热基板材料受到了广泛关注。目前氮化硅陶瓷热导率的实验值与理论值存在较大差距, 高温、长时间保温的制备条件不仅会使晶粒过分长大,削弱其力学性能, 而且会造成成本高企, 限制了其规模化应用。晶格氧缺陷是影响氮化硅陶瓷热导率的主要因素, 通过筛选非氧化物烧结助剂降低体系中的氧含量, 调节液相的组成和性质并构建“富氮-缺氧”的液相, 调控液相中的溶解析出过程, 促进氮化硅陶瓷晶格氧的移除及双峰形貌的充分发育, 从而实现氮化硅陶瓷热导率-力学性能的协同优化是目前研究的热点。本文基于元素分类综述了当前国内外开发的非氧化物烧结助剂体系, 着重从液相调节和微观形貌调控的角度介绍了非氧化物烧结助剂改善氮化硅陶瓷热导率的作用机理, 分析了晶粒发育、形貌演变规律和晶格氧移除机制, 并展望了高导热氮化硅陶瓷的未来发展前景。
氮化硅 热导率 力学性能 液相烧结 非氧化物烧结助剂 综述 Si3N4 thermal conductivity mechanical property liquid phase sintering non-oxide sintering additive review
无锡学院江苏省集成电路可靠性技术及检测系统工程研究中心,江苏 无锡 214105
合理设计材料性能和器件结构,提出一种易于制造、低能耗、可重构的光学伤害感受器,它能够进行阈值触发的自适应双模跳跃,类似于阈值触发的光照疼痛警报。利用双层Si3N4/SiO2隧穿结,基于Si3N4电介质的隧穿模式转变实现高强度和重复训练触发的模式跳变。当输出电流小于阈值时,该器件能够以较低的能量损耗密度(33.5 fJ/μm2)来表达一些常见的突触功能。因此,所提隧穿结的光学伤害感受器不仅能够为构建光照疼痛警报系统提供有用信息,而且能为阈值相关的新应用开辟新途径。
光电子学 神经形态器件 光学伤害感受器 Si3N4/SiO2隧穿结 隧穿模式 阈值跳变 光学学报
2024, 44(11): 1125001
1 石家庄铁道大学机械工程学院,河北省工程机械动力与传动控制重点实验室,河北 石家庄 050043
2 中国电子科技集团公司信息科学研究院,北京 100041
3 天津大学精密仪器与光电子工程学院,光电信息科学与技术教育部重点实验室,天津 300072
针对传统光栅耦合器在耦合过程中需要入射光倾斜一定角度且耦合效率低的缺点,提出了一种双层Si3N4减反射垂直光栅耦合器结构。基于时域有限差分法,对双层Si3N4薄膜结构的上、下层Si3N4厚度,下层Si3N4与光栅的距离及上、下层Si3N4之间的高度进行了详细讨论。分析结果表明,对于双层Si3N4减反射垂直光栅耦合器结构,横电波(TE)模式下在1550 nm波长处可以获得超过94%(-0.26 dB)的垂直耦合效率,3 dB带宽为107 nm(1485~1592 nm),具有良好的低损耗特性和带宽特性。同时,在现有加工工艺基础上,对该器件进行了容差分析。分析得知,当光纤光栅对准容差在-1.92~1.92 μm范围内、对准角度容差在-1.8°~1.8°范围内时,双层Si3N4减反射垂直光栅耦合器可以获得超过80%的耦合效率。
垂直光栅耦合器 Si3N4薄膜 减反射 耦合效率