作者单位
摘要
1 大连工业大学 新材料与材料改性省高校重点实验室, 辽宁 大连 116034
2 北京生态岛科技有限责任公司 研发中心, 北京 102402
3 大连工业大学 食品学院, 辽宁 大连 116034
采用溶胶凝胶法制备ZnO∶Al,Sm阻挡层薄膜, 并用X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)、红外光谱(FTIR)、荧光光谱(PL)、紫外可见光谱(UV-Vis)和扫描电子显微镜(SEM)等对阻挡层薄膜进行了表征, 探讨了Al、Sm掺杂量对阻挡层薄膜性能的影响。结果表明: 当Al的掺杂摩尔分数为1%、Sm的掺杂摩尔分数为3%时, 所制备的阻挡层荧光强度最高, 可将部分紫外光下转换为588 nm的可见光, 拓宽了光谱响应范围; 基于ZnO∶1%Al,3%Sm阻挡层的海胆棘壳色素敏化的纳米TiO2太阳能电池的开路电压为0.73 V, 短路电流密度为0.68 mA/cm2, 转换效率达0.33%, 效率比基于ZnO阻挡层的电池提高了约136%。
溶胶凝胶法 阻挡层 染料敏化太阳能电池 sol-gel ZnO∶Al ZnO∶Al Sm Sm block layer dye sensitized solar cell(DSSC) 
发光学报
2017, 38(4): 442
作者单位
摘要
1 江苏新广联科技股份有限公司,江苏 无锡 214101
2 大连理工大学 物理与光电工程学院,辽宁 大连 116024
通过设计包括不同Al含量的单层p-AlGaN电子阻挡层与10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的三种紫光LED结构,利用APSYS软件理论模拟研究了400 nm紫光LED的光电性能,并着重研究了电子阻挡层结构对紫光LED的光电性能的影响。APSYS软件的模拟结果显示,10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层对光输出功率(LOP)的提升优于单层p型AlGaN电子阻挡层。为验证理论模拟结果,使用MOCVD系统制备了三种紫光LED外延片,并将外延片加工成紫光芯片,分析了不同电子阻挡层对紫光LED光电性能的影响。实验的光电测试结果显示,带有10对p-AlGaN/GaN超晶格电子阻挡层的400 nm紫光LED发光效率高于另外两种紫光LED,在输入20 mA电流条件下,其光输出功率为21 mW,具有商用价值。
氮化镓 紫光发光二极管 电子阻挡层 发光效率 GaN violet light emitting diodes electron block layer emission efficiency 
光电子技术
2015, 35(4): 253
作者单位
摘要
1 大理学院 工程学院,云南 大理 671003
2 北京大学 人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871
为研究BCP对有机太阳电池的影响,制备了含BCP层的体相异质结电池,器件结构为:ITO/PEDOT∶PSS/P3HT+PCBM/BCP/LiF/Al。结果表明:BCP层起到了空穴阻挡和电子传输的作用,器件性能随着BCP层厚度的不同而变化,当BCP厚度为6nm时,其性能最好。
有机太阳电池 空穴阻挡层 厚度 能量转换效率 organic solar cell hole-block layer thickness power conversion efficiency 
半导体光电
2012, 33(1): 39
作者单位
摘要
1 National Lab. of Integrated Optoelectron., Jinn University, Changchun 130023, CHN
2 Dept.of Light Chem.and Text. Eng., Jilin Institute of Technology, Changchun 130012, CHN
Heterocyclic Compound Hole Block Layer Organic EL 
半导体光子学与技术
1998, 4(2): 109

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