设计合成了一种以蒽［2，3?b］苯并呋喃为核心的新型化合物，通过给体咔唑基团修饰得到化合物2?（蒽［2，3?b］苯并呋喃?3?基）?9?苯基?9H?咔唑（ABPCz）。经过掺杂器件研究，ABPCz可以实现蓝光发射，最大电流效率为8.79 cd/A，最大外量子效率为7.8%，CIE（0.17，0.23），峰值光谱448 nm，在476 nm处有较强的肩峰，在 1 000 cd/m²初始亮度下测试器件LT90（亮度衰减到初始亮度的90%）寿命达到153 h。结果表明，蒽［2，3?b］苯并呋喃经过咔唑基修饰可以得到高效、长寿命的蓝光器件，这为设计开发高性能蓝光材料提供了一个新途径。

为实现高功率的蓝光半导体激光输出，对蓝光巴条的封装技术进行了研究。利用金锡硬焊料封装了高功率氮化镓（GaN）蓝光半导体激光巴条，应用铜钨过渡热沉作为缓冲层抑制了铜热沉和GaN激光芯片之间封装残余应力，采用高精度贴片机将芯片共晶键合在铜钨过渡热沉上。贴片质量的好坏直接影响了器件的输出特性，所以重点分析了贴片机的焊接温度焊接压力、焊接时间对器件的影响。实验结果表明：当贴片机的焊接温度为320 ℃、焊接压力为0.5 N、焊接时间为40 s时，焊料层界面空洞最少，热阻最低为0.565 ℃/W，阈值电流最低为4.9 A，在注入电流30 A时，输出光功率最高为32.21 W，最高光电转换效率达到了23.3%。因此，在优化焊接温度、焊接压力、焊接时间后，利用金锡硬焊料将蓝光半导体激光芯片共晶键合在铜钨过渡热沉的技术方案是实现蓝光半导体激光巴条高功率工作的有效途径。

空穴注入效率低是制约蓝色量子点发光二极管（QLEDs）性能的关键因素。通过提升PEDOT∶PSS的电导率来增加器件的空穴注入效率是提升蓝色QLEDs性能的重要方向。由于二维材料碳化钛（Ti₃C₂T_x）具有较高的导电性、丰富的表面官能团及良好的亲水性等优点，有望通过掺杂提高PEDOT∶PSS的电导率。本文采用HCl/LiF刻蚀法制备了单层Ti₃C₂T_x纳米片，并将其掺杂到PEDOT∶PSS中制备了蓝色QLEDs器件。结果表明，当Ti₃C₂T_x的掺杂量为0.1%时，器件的最大外量子效率和电流效率分别达到15.2%和14.42 cd·A^-1，与参比器件的9.09%和7.68 cd·A^-1相比，分别提高了67%和87%。Ti₃C₂T_x纳米片对蓝色QLEDs器件性能提升有两个作用，一方面诱导PEDOT的构型从苯态到喹啉态转变，形成紧密堆积的大尺寸PEDOT纳米晶，并将这些导电纳米晶连接起来，构筑了新的电荷传输通道，提高了复合层的电导率；另一方面，通过掺杂实现了PEDOT∶PSS功函数的调节，提升了蓝色QLEDs器件的空穴注入效率。

Perovskite light-emitting diodes (PeLEDs) are considered as promising candidates for next-generation solution-processed full-color displays. However, the external quantum efficiencies (EQEs) and operational stabilities of deep-blue (<460 nm) PeLEDs still lag far behind their red and green counterparts. Herein, a rapid crystallization method based on hot-antisolvent bathing is proposed for realization of deep-blue PeLEDs. By promoting immediate removal of the precursor solvent from the wet perovskite films, development of the quasi-two-dimensional (2D) Ruddlesden–Popper perovskite (2D-RPP) crystals with n values >3 is hampered completely, so that phase-pure 2D-RPP films with bandgaps suitable for deep-blue PeLEDs can be obtained successfully. The uniquely developed rapid crystallization method also enables formation of randomly oriented 2D-RPP crystals, thereby improving the transfer and transport kinetics of the charge carriers. Thus, high-performance deep-blue PeLEDs emitting at 437 nm with a peak EQE of 0.63% are successfully demonstrated. The color coordinates are confirmed to be (0.165, 0.044), which match well with the Rec.2020 standard blue gamut and have excellent spectral stability.

宽带近红外光源可广泛应用于非侵入式探测、**侦查、食品检测、医疗成像等领域。采用近红外（NIR）荧光粉和蓝光LED芯片组合成荧光转换发光二级管，作为NIR光源，具有技术成熟、结构紧凑、成本低等优点。本文综述了蓝光LED激发 Cr³⁺ 掺杂宽带近红外荧光粉研究进展。首先，回顾了Cr³⁺ 发光的晶体场理论，并根据材料体系梳理了近来报道的 Cr³⁺ 掺杂近红外荧光粉；其次，鉴于近红外荧光粉在光谱范围、耐温性、输出功率、电光转化效率等方面依旧存在不足，总结了在机理上优化光谱学性能、改善热猝灭性能和电光转换效率的研究工作；最后，较全面地总结了Cr³⁺掺杂NIR荧光粉的器件化应用研究进展。

为了减少LED等照明方式中有害蓝光成分对人眼带来的危害，提出了一种基于金属纳米颗粒自组装的局域表面等离子体共振效应的减有害蓝光衰减器。通过合成制备了银包金纳米颗粒（Au@Ag NPs）和银纳米颗粒（Ag NPs），使用自组装的方法在石英玻璃上制备了纳米颗粒单层膜，并通过退火进行后处理改变颗粒形貌和分布。使用扫描电子显微镜（SEM）图像对不同样品纳米颗粒的形貌以及排布方式进行分析，对样品进行紫外可见光透射光谱测试，并借助于时域有限差分法对透射情况进行模拟，分析影响透射峰值的因素。结果表明，自组装方法制备的样品对不同波段的光传输有选择性的衰减，并且在退火后衰减峰值发生了蓝移。最后，展示了不同样品在白光LED下的实际透光效果，其中退火Ag NPs样品在416 nm有害蓝光波段处，可将透射减至24.5%，有效地衰减了有害蓝光，具有优异的蓝光防护效果。