线性斯特林制冷机在整个工作过程中, 输入正弦交流电的频率精度是直接影响线性斯特林制冷机振动的重要因素。尤其是对于单活塞线性斯特林制冷机而言, 输入的正弦交流电频率精度将直接影响到与之相连的动力吸振器的减振性能。基于此, 本文在线性斯特林制冷机逆变器的研究基础上, 通过对 SPWM(Sinusoidal Pulse Width Modulation)波生成方法、逆变电路中 MCU(MoneyWise Credit Union)时钟频率及滤波电路中截止频率、电容和电感等多个参数的分析, 得到了开关数和频率精度之间的关系。根据实际应用的要求, 线性斯特林制冷机逆变器输出实际频率与目标频率误差不得超过 ±0.1Hz, 频率精度则需要求控制在± 0.1%以内。所以在该应用条件下, 本文在单片机 MCU频率为 72 MHz时找到了满足合适需求的开关次数在 1400～2400之间, 其对应的频率精度均小于±0.1%。
线性斯特林制冷机 开关数 截止频率 频率精度 linear Stirling refrigerator number of switches cut off frequency frequency accuracy
1 北京师范大学 信息科学与技术学院, 北京 100875
2 中国林业科学研究院 资源信息研究所, 北京 100091
光学卫星遥感数据在获取过程中易受云层干扰, 云区识别是光学遥感数据应用及分析的一个基础但重要的步骤, 高效的云区识别技术对节省数据收集成本和提高数据利用效率具有较强的现实意义.同态滤波算法是经典的基于单幅影像的云区识别方法之一, 该算法具有计算快速方便、云区检测精度较高的优点, 然而识别的云区范围极大程度取决于同态滤波器截止频率的位置.同态滤波截止频率通常采用经验值, 显然经验截止频率无法适应批量遥感数据的自动处理需求.针对以上问题, 本文通过建立输入影像频谱能量与截止频率的关系, 结合白度指数(Whiteness Index)和形态学算子, 实现对国产高分辨率光学卫星高分一号(GF-1)遥感数据的批量云区识别处理.与传统同态滤波方法相比, 该算法能根据影像频谱能量自适应判定同态滤波时采用的截止频率, 具有更强的适用性.通过对98景GF-1多光谱数据进行随机点人工目视标记精度检验, 精度检验结果表明该算法对云区有较好的检测效果, 总体识别精度达93.81%.该算法对GF-1遥感数据能进行批量化云区检测, 获得高精度的云区掩膜结果, 并有效降低高反射率地物造成的误识率.
云区识别 自适应 同态滤波 GF-1遥感数据 截止频率 cloud detection self-adaptive Homomorphic filtering GaoFen-1 remote sensing data cut-off frequency
1 中国工程物理研究院 a.电子工程研究所，四川绵阳 621999
2 b.微系统与太赫兹研究中心，四川成都 610299
为了获得 T型栅应变高电子迁移率晶体管( mHEMT)器件，利用电子束(Electron beam， E-beam)光刻技术制备了 210 nm栅长，减小 mHEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻。采用 PMMA A4/ PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了 210 nm栅长T型栅极。 InAlAs/ InGaAs异质结 GaAs-mHEMT器件的直流特性和高频特性分别通过 Agilent B1500半导体参数分析仪和 Agilent 360 B矢量网络分析仪测试。直流测试结果显示， 210 nm栅长InAlAs/InGaAs沟道GaAs-mHEMT单指器件的最大有效输出跨导( gm:max)为195 mS/mm，器件最大沟道电流 160 mA/mm。射频测试结果显示，电流增益截至频率( fT)和最高振荡频率( fmax)分别为 46 GHz和115 GHz。同时欧姆电极特性和栅极漏电特性也被表征，其中栅极最大饱和漏电流密度小于 1×10-8 A/μm。
T型栅 应变高电子迁移率晶体管 电流增益截至频率 最高振荡频率 T-gate mHEMT current gain cut-off frequency maximum oscillation frequency 太赫兹科学与电子信息学报
2018, 16(1): 17
荆楚理工学院 计算机工程学院, 湖北 荆门 448000
提出了基于频域映射与多尺度Top-Hat变换的红外弱小目标检测算法。通过分割经典Top-Hat的单一结构元素, 获得多尺度膨胀结构元素, 对红外弱小目标进行增强, 有效抑制杂波与噪声背景; 基于Butterworth低通滤波与截止频率, 构建Butterworth差异带通滤波, 联合Fourier变换, 建立粗显著性检测机制, 通过提取其幅度与相位频谱, 基于2D高斯平滑滤波, 定义细显著性检测机制, 在频域中凸显弱小目标, 并将红外目标的空间与强度相关性作为识别标准, 精确定位候选目标; 根据红外目标运动与虚警的速度差异特征, 定义弱小目标连续帧速度模型, 在帧间充分抑制候选区域中的虚假目标, 检测出完整的弱小目标。实验结果显示: 与当前红外弱小目标检测技术相比, 面对复杂背景干扰, 提出的算法具有更高的检测精度, 可精确定位出完整的弱小目标, 呈现出更好的ROC特性曲线。
红外弱小目标检测 多尺度Top-Hat变换 截止频率 Butterworth差异带通滤波 显著性检测 连续帧速度模型 infrared dim small target detection multi scale top-hat transform cut-off frequency butterworth differential band-pass filter saliency detection continuous frame rate model
1 信息显示与可视化国际合作联合实验室，电子科学与工程学院，东南大学，江苏 南京 210096
2 河北半导体研究所，河北 石家庄 050051
3 专用集成电路国家级重点实验室，河北 石家庄 050051
采用再生长n+ GaN非合金欧姆接触工艺研制了具有高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs)，器件尺寸得到有效缩小，源漏间距减小至600 nm.通过优化干法刻蚀和n+ GaN外延工艺，欧姆接触总电阻值达到0.16 Ω·mm，该值为目前金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备的最低值.采用自对准电子束曝光工艺实现34 nm直栅.器件尺寸的缩小以及欧姆接触的改善，器件电学特性，尤其是射频特性得到大幅提升.器件的开态电阻(Ron)仅为0.41 Ω·mm，栅压1 V下，漏源饱和电流达到2.14 A/mm.此外，器件的电流增益截止频率(fT)达到350 GHz，该值为目前GaN基HFET器件国内报道最高值.
铟铝氮氮化镓异质结 异质结场效应晶体管 电流增益截止频率 非合金欧姆接触工艺 纳米栅 InAlN/GaN HFET current gain cut-off frequency nonalloyed Ohmic contacts nano-gate
河北半导体研究所 专用集成电路国家级重点实验室, 河北 石家庄 050051
基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs).基于再生长n+ GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小, 有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外, 采用自对准栅工艺制备60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小, 在Vgs= 1 V时, 器件最大饱和电流(Ids)达到1.89 A/mm, 峰值跨导达到462 mS/mm.根据小信号测试结果, 外推得到器件的fT和fmax分别为170 GHz和210 GHz, 该频率特性为国内InAlN/GaN HFETs器件频率的最高值.
异质结场效应晶体管(HFETs) 电流增益截止频率(fT) 最大振荡频率(fmax) InAlN/GaN InAlN/GaN heterostructure field-effect transistors(HFET) unity current gain cut-off frequency(fT) maximum oscillation frequency(fmax)
中国电子科技集团公司光电研究院, 天津 300308
根据多波段探测的技术要求,设计了中长波共孔径RC光学系统,通过二次成像方式实现了探测器件冷光阑匹配,减小了内部杂散辐射、系统体积质量。共孔径系统的焦距为400 mm,在中波探测器截止频率33 lp/mm时MTF为0.45,长波探测器截止频率20 lp/mm时MTF为0.4,系统性能良好。
红外 双波段 光栏 共孔径 截止频率 infrared dual band stop common aperture cut-off frequency
中国工程物理研究院激光聚变研究中心，四川绵阳 621999
为研究制作 THz频段下工作的肖特基二极管器件，系统研究了平面肖特基二极管的制作工艺。通过分子束外延 (MBE)生长了掺杂浓度分别为 5×1018 cm -3的缓冲层和 2×1017 cm -3的外延层，并研究温度对厚度的影响，使得膜层厚度控制良好，晶格完整。通过参数控制，减小了等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)的 SiO2钝化层应力，使压指结构的翘曲情况得以改善。研究了不同退火温度下欧姆接触的情况，使接触电阻率减小到 0.8×10-7 Ω/cm2。用电子束光刻和干法刻蚀制作了亚微米级的阳极区域，结合 GaAs湿法刻蚀的速率控制，完成了表面沟道的制作，制作出完整的平面肖特基二极管。通过 I-U曲线理论计算，二极管的截止频率达到太赫兹量级，为后续工作奠定了基础。
平面肖特基二极管 制作工艺 截止频率 太赫兹 planar Schottky barrier diode fabrication cut -off frequency Terahertz 太赫兹科学与电子信息学报
2015, 13(4): 544
1 中国工程物理研究院 a.电子工程研究所
2 b.微系统与太赫兹研究中心，四川 绵阳 621999
肖特基势垒二极管(SBD)具有强非线性效应、速度快及容易系统集成等特点，常用于微波、毫米波及太赫兹波的产生和检测。本文通过电子束光刻等技术制作出肖特基接触直径1 μm的二极管，并对二极管进行了直流测试和射频测试。经过直流测试，二极管的串联电阻为10.2 Ω，零偏结电容为1.76 fF，肖特基结截止频率达到了8.7 THz；相同管子的射频测试串联电阻为15.4 Ω，零偏结电容1.46 fF，肖特基结截止频率也达到了7 THz。
太赫兹 肖特基势垒二极管 串联电阻 零偏结电容 截止频率 terahertz Schottky Barrier Diodes series resistance junction capacitance cut-off frequency 太赫兹科学与电子信息学报
2015, 13(5): 679
