采用非对称大光腔外延结构设计制备出976 nm InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱脊形半导体激光器，通过对外延结构的设计优化，以实现器件低远场发散角、低功耗的基横模稳定输出。所制备基横模脊形半导体激光器的脊宽为5 μm、腔长为1500 μm，在25 ℃测试温度下，可获得422 mW最大连续输出功率，峰值波长为973.3 nm，光谱线宽（FWHM）为1.4 nm。当注入电流为500 mA时，垂直和水平远场发散角（FWHM）分别为24.15°和3.90°。在15~35 ℃测试温度范围内对脊形半导体激光器的水平远场发散角进行测试分析，发现随着测试温度的升高，器件远场分布变化较小，水平远场发散角基本维持在3.9°左右。

半导体激光器在光通信、生物医疗、激光雷达等领域中得到广泛应用，其单模稳定输出特性一直是国内外的研究热点。制备了一种基于表面高阶曲线光栅的宽脊波导半导体激光器，刻蚀曲线型高阶光栅后高阶横模损耗远大于基横模损耗，同时设置宽脊电流限制注入结构，使得高阶横模激射阈值高于基横模阈值，从而改善器件的横模特性并压窄光谱线宽。利用温控模块将器件的工作温度控制为18 ℃，对腔长为2 mm、条宽为500 μm的器件进行测试，在0.5 A电流下测得慢轴发散角为5.3°，快轴发散角为29.2°，在1 A驱动电流下测得3 dB光谱线宽为0.173 nm，边模抑制比为22.6 dB。实验结果表明，表面高阶曲线光栅对宽脊波导半导体激光器中的高阶横模起到了抑制作用且能够压窄光谱线宽，有助于实现半导体激光器的单模稳定输出，同时器件采用紫外光刻工艺，大幅降低了器件的制备难度。

976 nm高功率半导体激光芯片是光纤激光器的核心部件，具有极为重要的产业价值。报道了课题组在高效率高功率半导体激光芯片的设计、制作与测试方面的研究成果。为了最大限度地提高器件的功率转换效率，同时满足苛刻的寿命要求，在设计上采用双非对称大光腔波导结构，同时对量子阱结构、波导结构、掺杂以及器件结构进行了优化；在外延生长方面，系统地优化了生长工艺参数，确保了外延材料具有极高的内量子效率及低内损耗。大量测试表明：所制作的器件（腔长为5 mm、发光条宽为200 μm的芯片）在室温、连续波（CW）测试条件下，阈值电流约为1 A，斜率效率为1.14 W/A；当电流为9 A时，最高功率转换效率高达72.4%；当电流为30 A时，输出功率达到29.4 W，功率转换效率为61.3%；对应于95%光场能量的水平远场发散角低至8.7°。上述参数性能已经达到了国际同类产品的先进水平。

光电跟踪仪光轴平行性要求与跟踪瞄准精度、激光测距传感器照射激光光束发散角、激光回波接收系统探测视场有关, 尤其是对于小目标, 还与激光测距作用距离和探测概率有关。从光电跟踪仪激光测距原理和指标要求出发, 分析照射光束能量分布特点, 考虑温度、振动等环境因素和变调焦引起的光轴稳定性误差, 提出了光电跟踪仪光轴平行性要求的计算方法。同时根据工程实践考虑光电传感器原位更换和现场标校的维修性, 建立了光轴平行性误差分配模型, 讨论了各随机误差项、各标校残余误差项的一般控制要求和估计方法, 为光电跟踪仪设计分析、制造工艺、维修性改进提供参考。

近红外光谱具有高维、 高冗余、 非线性的特性, 严重影响了样本之间的相似性度量的精准, 故而提出了一种基于Wasserstein散度的t分布随机近邻嵌入算法(Wt-SNE)。 基于流形学习算法思想, 利用高斯分布将高维数据的距离转换为概率分布, 使用更加偏重长尾分布的方式t分布表示低维空间中对应数据点的概率分布。 将高维数据的概率分布嵌入映射至低维度空间, 重构低维流形结构, 引入Wasserstein散度度量两个空间内概率分布的差异, 通过降低散度值来提高两个分布的相似度, 以此来实现高维数据降维处理。 为验证Wt-SNE算法的有效性, 首先对烟叶近红外光谱数据进行降维投影, 并与PCA、 LPP、 t-SNE算法比较, 结果表明Wt-SNE算法降维后的数据, 在低维空间内样本类别边界更加明显。 其次, 采用KNN、 SVM和PLS-DA分类器对降维后的数据进行烟叶产地预测, 准确率分别为93.8%、 91.5%、 92.7%, 表明降维后的数据不仅重构了原始光谱的空间结构而且保留了样本间的相似度关系。 最后, 选取某一卷烟叶组配方中的烟叶进行单料目标烟叶的替换, 根据备选样本与目标样本之间的马氏距离选取替换样本。 实验表明, Wt-SNE选取的替换烟叶与目标烟叶相似度最高, 烟碱、 总糖等化学成分含量与目标烟叶差异较小, 香气、 烟气、 口感得分表现出较高的一致性。 该方法能够有效度量烟叶近红外光谱之间的相似性, 为卷烟叶组配方的维护提供有力的依据。

建立了基于泰森多边形排布的随机微透镜阵列激光光场复相干度调制模型，分析了旋转随机微透镜阵列参数对激光发散角以及激光光场复相干度模的影响规律。仿真与实验结果表明：子透镜单元的平均口径与曲率半径共同影响随机微透镜阵列的发散角，通过控制随机微透镜阵列子透镜单元的参数可提供特定发散角；随机微透镜阵列转速影响激光光场复相干度的模，复相干度的模随转速增加而下降，转速从0增加至4800 r/min，复相干度的模下降总幅度为96.67%，且随转速增加下降趋势逐渐变缓。