针对传统选择性区域生长叠层双有源区电吸收调制激光器（SAG-DSAL-EML）在高频调制环境下的响应速度问题以及改善其远场发散角特性，文章提出利用掺铁掩埋技术对电吸收调制激光器（EML）结构进行优化，设计了InGaAsP/InP材料1 310 nm掺铁掩埋结构的SAG-DSAL-EML并制作样本芯片，新型SAG-DSAL-EML有源区变为台面结构，并在其两层外延生长掺铁InP层。同时，利用先进激光二极管模拟器（ALDS）软件和高频结构仿真（HFSS）软件对所设计掺铁掩埋结构的EML和调制器进行数值及仿真分析，结果表明，与传统多量子阱结构相比，SAG-DSAL-EML阈值电流减少了13%；与传统脊波导结构相比，掺铁掩埋结构的侧向限制能力提高52%，激光远场横纵角度之差降低了40%，具有更小的远场发散角；与传统PNPN掩埋结构相比，掺铁掩埋结构的调制器在－3 dB的响应带宽提高了约24%。对样本芯片进行测试，试验表明，SAG-DSAL-EML的阈值电流为14.5 mA，边模抑制比（SMSR）为45.64 dB，70 mA注入电流下，电吸收调制器－3 dB的响应带宽为43 GHz，满足高速激光通信的基本要求。

提出了一种基于电吸收调制激光器的双功能系统，可以同时实现微波信号的产生和其相位噪声的测量。该系统由基于电吸收调制激光器的光电振荡器模块和基于光延时线技术的相位噪声测量模块构成。通过使用单个电吸收调制激光器代替激光源和强度调制器，所提出的双功能系统不仅成本低廉、结构简单，而且性能表现优异；有利于在基于OEO的射频系统，特别是信号产生系统的研制、优化与工作过程中，及时评估信号源的质量并作出相应的参数调整以优化其性能，为光电振荡器的相位噪声测试提供了简单的解决方案。实验结果表明，由光电振荡器生成的9.952 GHz信号的边模抑制比为66 dB，相位噪声为-116.53 dBc/Hz@10 kHz。此外，相位噪声测量系统的相位噪声基底达-133.71 dBc/Hz@10 kHz，其测量灵敏度优于商用信号分析仪R&S FSV40。