海装驻武汉地区第七军事代表室, 湖北 武汉 430223
光电设备中, 红外通道窗口会因结霜、起雾等原因而导致成像模糊, 从而影响设备的使用, 为解决这一问题, 在研究分析了光电设备红外通道窗口加热技术的基础上, 给出了在高阻硅基底材料上镀制导电的金属栅条进行加热的解决方法, 并开展了试验验证。加热功能、性能、安全性、环境适应性等试验结果表明, 该方法可有效解决红外通道窗口结霜起雾的问题。
红外通道窗口 加热技术 解冰去雾 高阻硅 金属栅条 infrared channel window heating technology clearing the ice and fog high resistance silicon metal gate
福州大学 物理与信息工程学院 平板显示技术国家地方联合工程实验室, 福州 350108
针对传统电极驱动液晶透镜的电场分布在驱动电极边缘的问题, 设计了一种高阻值层驱动电极来控制液晶分子偏转的低压驱动和焦距可调的液晶透镜.利用磁控溅射工艺在含镂空孔阵列的面状铝电极基板表面沉积一层掺铝氧化锌透明薄膜, 形成高阻值层驱动电极; 利用液晶盒成盒工艺将制备好的驱动电极基板和公共电极基板(氧化铟锡玻璃基板)组装成液晶透镜, 研究掺铝氧化锌高阻值层、驱动电压、工作频率对液晶透镜光学性能的影响.实验结果表明, 对比传统电极驱动液晶透镜, 高阻值层电极驱动液晶透镜在驱动电压2.2 Vrms和工作频率130 kHz下获得的干涉圆环均匀, 聚焦光斑小.同时, 在驱动电压1.8~2.8 Vrms和工作频率130 kHz下所制备的液晶透镜焦距可调范围为4.27～2.88 mm.
液晶 低压驱动 高阻值层 驱动电极 可控焦距 Liquid crystal Low-voltage driving High resistance layer Driven-electrodes Controllable focal length
1 北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶C 薄膜。为得到高阻(或半绝缘)的GaN 薄膜，研究了源(CCl4)流量和载气对MOCVD 外延GaN 薄膜电学性能的影响，发现CCl4流量和载气对实现高阻的GaN 影响很大。当GaN 缓冲层采用N2作为载气，CCl4的流量为0.016 μmol/min 时成功实现了GaN 的高阻生长，样品A2的方块电阻高达2.8×107 Ω/sq。经原子力显微镜(AFM)测试显示，样品的表面形貌较好，粗糙度均在0.3 nm 附近，说明Ｃ掺杂对外延GaN 薄膜的表面形貌没有大的影响。低温荧光光谱测试显示黄光峰与刃型位错有关。
材料 C掺杂 高阻 半绝缘 金属有机物化学气相沉积 GaN 薄膜
