海装驻武汉地区第七军事代表室, 湖北 武汉 430223
光电设备中, 红外通道窗口会因结霜、起雾等原因而导致成像模糊, 从而影响设备的使用, 为解决这一问题, 在研究分析了光电设备红外通道窗口加热技术的基础上, 给出了在高阻硅基底材料上镀制导电的金属栅条进行加热的解决方法, 并开展了试验验证。加热功能、性能、安全性、环境适应性等试验结果表明, 该方法可有效解决红外通道窗口结霜起雾的问题。
红外通道窗口 加热技术 解冰去雾 高阻硅 金属栅条 infrared channel window heating technology clearing the ice and fog high resistance silicon metal gate
1 北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶C 薄膜。为得到高阻(或半绝缘)的GaN 薄膜，研究了源(CCl4)流量和载气对MOCVD 外延GaN 薄膜电学性能的影响，发现CCl4流量和载气对实现高阻的GaN 影响很大。当GaN 缓冲层采用N2作为载气，CCl4的流量为0.016 μmol/min 时成功实现了GaN 的高阻生长，样品A2的方块电阻高达2.8×107 Ω/sq。经原子力显微镜(AFM)测试显示，样品的表面形貌较好，粗糙度均在0.3 nm 附近，说明Ｃ掺杂对外延GaN 薄膜的表面形貌没有大的影响。低温荧光光谱测试显示黄光峰与刃型位错有关。
材料 C掺杂 高阻 半绝缘 金属有机物化学气相沉积 GaN 薄膜
1 太原理工大学 新材料界面科学与工程教育部重点实验室， 山西 太原030024
2 太原理工大学 新材料工程技术研究中心， 山西 太原030024
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)，通过改变生长过程中成核层退火阶段的反应室压力，在蓝宝石衬底上制得了不同阻值的GaN外延薄膜。利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对所生长的GaN薄膜的表面形貌、位错密度和位错形态进行了研究。结果表明，GaN的电阻率与位错形态之间存在密切联系，由此建立了模型来解释两者之间的关系。由于刃型位错附近存在负电荷，因此可为电子提供传导通道。在低阻GaN中，绝大多数位错发生弯曲和相互作用，在平行于基底方向上形成负电荷的导通通道，GaN薄膜的电导率较高。在高阻GaN中，位错生长方向垂直于基底，负电荷很难在平行于基片方向上传导，GaN薄膜的电导率很低，由此得到高阻GaN。
氮化镓 位错形态 高阻 金属有机物化学气相沉积 GaN morphology of threading dislocations high-resistivity MOCVD
采用PIN结构，研制出高阻p型硅大面积四象限探测器。详细介绍了器件结构设计和制作工艺。对器件响应时间、象限串扰、暗电流和响应度等参数进行了计算与分析。实验结果表明，器件响应度达到0.45A/W(λ=1.06μm)，暗电流小于50nA(Vr=135V)，象限间串扰低于2.5%。
高阻p型硅 四象限探测器 串扰 high R0 p-type Si four-quadrant detector cross talk
主要介绍了pH酸度计的工作原理,性能特点,电路设计及应用.
高阻 电极 信号放大
1 西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071
2 西北核技术研究所,陕西,西安,710024
用增强光电流模型对微电路pn结瞬态电离辐射响应开展了数值模拟计算.该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上,增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底(准中性区)电场的效应,这些效应对于高阻材料是不容忽视的.该模型对正确预估微电路PN结瞬态电离辐射响应提供了很好的评估手段.
微电路 增强光电流模型 Wirth-Rogers光电流模型 过剩少数载流子 高阻材料 microcircuit enhanced photocurrent models Wirth-Rogers photocurrent models excess minority carrier high resistivity material
