1 合肥工业大学 仪器科学与光电工程学院，合肥 230009
2 中国科学院微电子研究所 微电子器件与集成技术重点实验室，北京 100029
本论文采用全反射式光学聚焦结构，通过独特的偏振控制技术，实现宽光谱、无色差成像椭偏仪的研制。在系统校准过程中采用多样品校准方法，利用校准得到的系统参数对待测样品进行成像椭偏分析，确定样品椭偏角ψ和σ及薄膜厚度的空间分布。为测试自制成像椭偏仪的准确性，本文对3 nm~300 nm 的SiO2/Si 样品在200 nm~1 000 nm 内多波长下进行成像椭偏测量。实验结果表明，SiO2 薄膜厚度最大相对测量误差小于6%。
成像椭偏仪 薄膜 椭偏测量 imaging ellipsometer thin film ellipsometry
