1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室, 上海 200083
2 中国科学院研究生院, 北京 100039
使用感应耦合等离子体化学气相沉积(Inductively coupled plasma chemical vapor deposition, ICPCVD)方法在GaN上沉积SiOx薄膜, 生长参数中采用不同RF功率, 研究RF功率对薄膜物理性能和电学性能的影响.结果发现, 随着RF功率增大, 薄膜应力增大, 表面粗糙度减小, 薄膜致密度增大.选择最优的RF功率参数, 制作了SiOx/n-GaN金属-绝缘体-半导体(metal-insulator-semiconductor, MIS)器件, 结果得到薄膜漏电流密度在外加偏压为90V时小于1×10-7A/cm2, SiOx/n-GaN界面态密度为2.4×1010eV-1cm-2.表明利用ICPCVD低温沉积的SiOx-GaN 界面态密度低, 薄膜绝缘性能良好.
薄膜应力 表面粗糙度 界面态密度 ICP-CVD ICP-CVD SiOx films SiOx film stress surface roughness interface trap density
1 西北农林科技大学机械与电子工程学院，陕西 杨凌 712100
2 西安电子科技大学技术物理学院，西安 710071
通过引入散射理论建立了发光二极管模型，并考虑低计量率电离辐照损伤影响，建立了器件材料散射因子与辐照损伤的关系模型.在输入电流宽范围变化的条件下，测量了器件在不同辐照条件下的电学特性，实验结果与理论模型符合良好.通过对测量结果和以上模型的分析，深入研究低剂量电离辐照损伤和发光二极管性能衰减的关系.证实由于复合中心上的电子浓度增加，导致界面态浓度和散射几率的略微增大，从而造成其I-V和L-V特性的略微衰减.同时由于重离子辐照可直接产生位移效应，使界面态浓度明显上升，因此其对发光二极管的影响较电离辐照大很多.
发光二极管 界面态浓度 散射几率 电离辐照损伤 Light Emitting Diode(LED) Interface trap density Scattering probability Ionization radiation damage
