研究了HfO2/SiO2高反膜中植入2 μm的SiO2小球所形成的节瘤的界面连续性对损伤特性的影响。采用离子束辅助沉积(IAD)技术制备了两种不同厚度的1064 nm高反膜。它们的电场分布和吸收相近；但是厚度大(约为2倍)的薄膜中，节瘤的界面连续性更好。对于这两种特性的节瘤，用1064 nm脉冲激光(脉宽10 ns)进行了统计性的Raster Scan扫描测量。发现厚度大的薄膜中节瘤的初始损伤阈值更高(约为2倍)，损伤过程相对缓慢。说明对于2 μm直径的SiO2种子源，在考察的厚度范围内，节瘤与周围膜层的连续性随着膜层厚度的增加明显改善，其抗激光辐照的稳定性也增强，初始损伤阈值随之提高。