浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室， 浙江 杭州 310027
在量子点发光二极管(QLED)中，由于电荷传输层材料能带和迁移率的差异，不可避免地存在电荷注入不平衡的问题。为了制备电荷注入尽可能平衡的高性能QLED，通常利用界面调控。结合QLED的结构，分别从阳极界面调控、阴极界面调控和两相界面调控三个方面综述了近年来QLED界面调控的研究进展，分析了界面调控机理及其对QLED性能的影响。指出了QLED目前存在的问题，并展望了其未来的发展趋势。
光学器件 量子点 发光二极管 界面调控 界面层 激光与光电子学进展
2017, 54(7): 070005
