表面增强拉曼散射（SERS）技术在痕量检测等领域中具有重要的作用，制备周期性微纳结构，构建表面等离子体耦合体系，是当前实现高性能SERS基底的主要方法之一。鉴于传统周期性微纳制备技术成本高、效率低等不足，提出了激光干涉诱导向前转移（LIIFT）技术，利用三光束LIIFT制备周期性Ag微点结构，并分析了结构基底的SERS特性。研究结果表明：基于LIIFT技术可以实现Ag微点结构的大面积、高效制备，并且通过调节三光束干涉光场周期，可以实现对Ag纳米颗粒的可控制备。最后，以典型食品添加剂罗丹明B（RhB）为检测对象，验证了Ag微点结构的SERS特性。该研究表明LIIFT技术是一种高效制备SERS芯片的有效途径，在食品、环境及生物工程等领域中具有潜在的应用价值。

采用传统紫外光刻技术与激光双光束干涉光刻技术相结合的方法,以及激光双光束干涉连续两次曝光的工艺方法,制备了具有多种形貌和周期的微纳米复合结构,解决了利用传统激光干涉加工技术制备微结构的形貌和周期单一的问题。通过优化实验条件,制备出了微米条形光栅、矩形、圆形和六边形点阵与纳米光栅相结合的微纳米复合结构;在玻璃/银膜/CH₃NH₃PbI₃结构中引入微纳米复合光栅结构,CH₃NH₃PbI₃的吸收在可见光范围内得到明显增强,这主要归因于微米光栅的散射效应和银膜/CH₃NH₃PbI₃界面表面等离子激元的电场增强效应的共同作用。

分布反馈式(DFB)半导体激光器具有优良的稳定性和单模性, 广泛应用于激光器抽运和光通信等领域。光栅作为DFB激光器的关键部件, 对激光器性能有重要的影响。针对976 nm波段设计制备了DFB激光器的光栅。基于耦合模理论优化设计光栅的结构参数, 采用激光干涉光刻和反应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术制备光栅。通过引入表面镀膜SiO2的方法提高了光栅图形由光刻胶向衬底转移的保真度, 显著地改善了光栅的图形质量。探究了曝光时间、ICP刻蚀时间对光栅表面形貌的影响。实验结果表明, 所制备的光栅条纹分布均匀, 有较好的表面形貌, 满足预期设计目标。

以激光干涉法得到的光刻胶图案为掩模, 采用湿法刻蚀和溶脱-剥离法制备了具有良好减反射特性的亚微米掺铝氧化锌(ZnO:Al, AZO)光栅。表面形貌特征和反射光谱测试结果表明, 湿法刻蚀较溶脱-剥离法得到的AZO光栅表面更为粗糙, 两者均方根粗糙度分别为25.4, 7.6 nm。在400～900 nm波段, 两种方法制备的周期和高度相同的光栅, 平均总反射率分别由AZO薄膜的12.5%下降到8.3%和10.2%。两者的平均镜面反射率分别为6.2%和6.6%, 平均漫反射率分别为2.1%和3.6%。湿法刻蚀得到的表面较为粗糙AZO光栅的漫反射明显减弱, 从而导致总的减反特性优于溶脱-剥离法得到的表面起伏相对较小的AZO光栅。

利用电磁理论，研究了多光束激光干涉图样的产生原理，结合计算机数值模拟和相关实验结果，分析了干涉图样的影响因素。研究结果表明：多光束激光干涉图样可以看成是多组余弦分布的平行线条纹的叠加；相干光束的偏振方向、入射方向、光束间相位差是干涉图样的重要影响因素，改变这些因素，余弦分布的平行线条纹的振幅、位置、周期和方向发生变化，图样也随之变化。

介绍了一种利用激光干涉光刻技术得到特征图形，并通过离子束刻蚀将图形转移到铬层上，从而获得掩模的方法。针对掩模透光率以及对干涉图形对比度可能产生影响的两个参数分别进行了数值仿真，从而证明此方法的可行性和参数的优化选择。自搭干涉光刻实验系统，用257 nm的激光光源实现光刻，得到特征尺寸为100 nm的图形，再经过离子束刻蚀，最终得到周期200 nm、线宽100 nm的掩模。