作为平面异质结钙钛矿太阳能电池（PSCs）的重要组成部分，电子传输层（ETL）在提升PSCs器件的性能和稳定性上起着重要的作用。尽管最常用的两类ETL材料——二氧化钛（TiO₂）和二氧化锡（SnO₂），均以纳米颗粒和溶液方式制备，TiO₂却面临着电子迁移率低、器件滞回效应大、化学稳定性差、需高温制备等问题，相比之下，SnO₂具有优异的光电学性质、更高的稳定性、可低温制备等优势。聚焦于基于SnO₂ ETL的PSCs稳定性和界面电荷提取，首先综述了SnO₂材料的物理性质和优点；然后从制备和成膜方法（如化学浴沉积、溶液旋涂等）入手，进一步阐明了SnO₂的体相和表面缺陷；最后基于SnO₂ ETL的缺陷，从界面钝化、体相掺杂和双电子层构筑等三方面重点介绍了提升PSCs稳定性和界面载流子提取效率的途径。该综述可助力PSCs性能和稳定性的进一步提升，为该新兴光伏技术进一步实用化贡献有用的见解。

设计并实现了一种高精度低噪声运算放大器。提出了一种基极电流消除技术, 补偿了输入对管基极电流, 有效地降低了运算放大器的输入偏置电流, 从而能够通过提高输入对管的集电极电流来减小输入噪声电压, 实现了较低的运算放大器总等效输入噪声。同时, 采用集电极-发射极电压补偿电路, 消除了厄利效应的影响, 提高了电路精度。电路采用36 V互补双极工艺流片, 测试结果表明, 芯片的失调电压为6.94 μV, 在1 kHz下的电压噪声密度为5.6 nV/Hz, 电流噪声密度为0.9 pA/Hz。

设计实现了一种基于0.6 μm BCD工艺的40 V高压输出自稳零运算放大器。该运算放大器采用了时间交织自稳零结构, 实现了对输入失调电压的连续校准, 同时使用40 V耐压PDMOS管和NDMOS管, 实现了ClassAB结构的高压输出。运算放大器的输入级和自稳零校准电路采用0.6 μm普通MOS管实现, 均工作在5 V电源电压下; 放大级和输出级中部分晶体管采用非对称结构的40 V DMOS管, 实现了高压输出。整体电路中只有DMOS管的漏源电压承受40 V的耐压, 其余MOS管的各端电压均在正常的工作范围内, 没有耐压超限风险。前仿真结果表明, 该运算放大器在5 V和40 V双电源电压下工作正常, 输入失调电压为0.78 μV, 输出电压范围为3.0~37.7 V, 等效直流增益为142.7 dB, 单位增益带宽为1.9 MHz, 共模抑制比为154.8 dB, 40 V电源抑制比为152.3 dB, 5 V电源抑制比为134.9 dB。

基于CMOS工艺设计了一款轨到轨运算放大器, 整体电路包括偏置电路、输入级、输出级以及ESD保护电路。电路中的输入级使用了一种全新的架构, 通过一对耗尽型NMOS管作为输入管, 实现轨到轨输入, 同时在输入级采用了共源共栅结构, 能够提供较高的共模输入范围和增益; 在输出级, 为了得到满摆幅输出而采用了AB类输出级; 同时ESD保护电路采用传统的GGMOS电路, 耐压大于2 kV。经过仿真后可知, 电路的输入偏置电流为150 fA, 在负载为100 kΩ的情况下, 输出最高和最低电压可达距电源轨和地轨的20 mV范围内, 当电源电压为5 V时能获得80 dB的CMRR和120 dB的增益, 相位裕度约为50°, 单位增益带宽约为15 MHz。

折叠式共源共栅和Class AB(FC-AB)结构的运算放大器被广泛研究和使用, 但是其结构应用的多变性使设计者难以快速准确地设计出符合要求的电路。文章提出了一种标准化的运算放大器设计流程, 设计者可以根据应用需求快速灵活地设计目标电路。以电流分配作为设计流程的起始点和调整点, 以核心参数作为判据或约束项, 进行迭代优化, 最终通过相关电流和跨导确定器件尺寸。以流程图形式提出了低噪声运放的设计流程, 关键器件尺寸的理论值和设计值平均误差为1148%。根据该流程设计了一种低噪声运放, 并采用018 μm CMOS工艺进行了加工。运放关键电学参数都满足设计要求, 其等效输入噪声为108 nV/√Hz, 与目标值偏差18%。

为得到卫星搭载的高速跨阻运算放大器在星载环境中长时间工作后的性能变化情况, 对3款增益带宽积大于1GHz的高速跨阻放大器芯片关键特征参数的电离总剂量损伤特性及变化规律进行了试验研究。辐照试验在60Co γ射线源上采用高温加速评估的方法完成, 辐照到放大器芯片上的剂量率为0.3~0.5Gy(Si)/s。分析了放大器芯片输出偏置、输出噪声和带宽等关键电参数在辐照前后及高温(85℃±6℃)退火前后的特性, 讨论了引起电参数变化的机理。结果表明, 经过两轮150Gy(Si)剂量辐照及高温退火后, 放大器芯片的输出偏置和输出噪声水平无明显变化, 时域脉冲响应正常, -3dB带宽减小了3%左右。带宽为3款高速跨阻放大器芯片的辐射敏感参数, 其变化与电离辐射在SiO2/Si界面引起正电荷建立和界面态直接相关。辐照后的芯片仍然能够满足高带宽测试情况下的需求, 150Gy(Si)为电参数和功能合格的累积剂量。

机载红外对抗系统正在向系统化、综合化方向发展。作为红外对抗中重要的干扰手段, 红外干扰弹和定向红外对抗系统的协同使用是一个关键。通过分析红外干扰弹和定向红外对抗系统的干扰机理, 构建了综合红外对抗系统模型, 研究了协同使用流程和规则。仿真实验验证了协同使用策略对正交四元红外导引头的有效性。

介绍了飞机目标红外辐射源及其分类情况。基于工程计算需求, 归纳了飞机蒙皮、尾喷口及尾焰的红外辐射物理模型。系统研究了国内外关于飞机目标光谱辐射特性的研究现状, 并对飞机目标在不同波段、不同探测角度下的光谱辐射特性进行总结。结合红外制导导弹的制导体制, 开展了点源红外诱饵(包括: 单点源、多点源和光谱型点源红外诱饵)和面源红外诱饵作战应用的匹配性研究。上述研究成果有助于制定合理有效的干扰策略, 提升载机的战时生存能力。

介绍并研究一类具有物理可实现性的描述分数算子有理迭代过程的非正则标度方程, 提出几种新型分抗逼近电路, 并用广义非正则标度方程描述。推广出基于未知参量 m,n的一类非正则标度方程, 并研究其描述的分数算子有理迭代过程的特性。置换已知分抗逼近电路中元件位置获得 4种新的分抗逼近电路, 并用相应的广义非正则标度方程描述。研究表明, 广义非正则标度方程具有不同的近似解。最后, 介绍广义非正则标度方程描述的阻抗函数代数迭代过程的优化方法, 基于新型分抗逼近电路, 提出几种具有高运算恒定性的任意阶标度分形分抗逼近电路设计方案。设计分数阶微电路仿真实验, 验证新型分抗逼近电路的运算性能。