基于Landau-de Gennes理论, 利用松弛迭代的方法, 研究了包含-1/2向错线的混合排列（HAN）液晶盒中, 平行于向错线的电场所诱导的结构转变。结果表明, 盒厚固定时, 电场诱导五种结构转变过程; 电场固定时, 盒厚变化产生三类结构转变方式。力曲线上的极小值确定了液晶系统发生结构转变的临界盒厚。
有序重构 Landau-de Gennes理论 -1/2向错 力曲线 order reconstruction Landau-de Gennes theory -1/2 defect force curve
在扭曲向列相中,基于Landau-de Gennes理论,利用二维松弛迭代方法,研究了s =±1/2扭曲向错的有序重构,给出了随着盒厚减小缺陷核的双轴结构.在临界值dc* ≈ 9ξ(ξ是序参数变化的相干长度),有序重构结构是稳定态,而带缺陷结构是亚稳态,此时系统缺陷结构和双轴性开始沿基板方向扩散.相对于没有初始向错的情况,本征值交换为稳定解对应的盒厚较大.在临界盒厚dc ≈ 7ξ,系统发生双轴性转变,双轴性结构扩散到整个液晶盒,形成双轴壁.在盒厚d≈ 9ξ时力达到极大值,而d≈ 7ξ时力达到极小值.对于非对称弱锚泊边界条件,随着锚泊强度的降低,弱锚泊边界将向错逐渐驱出边界.
有序重构 扭曲向错线 双轴性参数 Landau-de Gennes 理论 order reconstruction twist disclination line biaxial parameter Landau-de Gennes theory
