高能粒子与靶材料相互作用主要通过核能损和电子能损两种方式损失能量。电子阻止效应和电子-声子耦合效应是体现电子能损的两种不同机制。准确模拟高能粒子的辐照损伤过程，亟须解决电子能损效应对粒子辐照损伤的影响这一关键科学问题。本文综述了几种关键结构材料在考虑电子能损效应下辐照损伤行为的最新研究进展，阐述了电子阻止效应、电子-声子耦合效应和电子热导率等对辐照缺陷的影响规律，总结了目前电子能损效应对靶材料辐照损伤的影响规律，归纳了高能粒子辐照靶材料研究中存在的问题，并对后续的研究方向进行了展望。

二维材料由于其独特的物理化学性质，对纳米光子学及光电子学的应用与发展具有重要研究价值。特别是二维材料中声子与光子耦合激发产生的声子极化激元高度局域在纳米尺度，在片上光子学的光学操控和能量传输等前沿研究领域具有极大的应用潜力。同时，光电器件制造进入纳米节点，器件应用对材料表征精度具有纳米级的要求。然而目前对声子极化激元特性分析的关键之一在于测量其干涉条纹周期，测量结果准确性依赖于仪器设备校准。因此，为实现对声子极化激元干涉条纹的精确测量，文中提出构建铬原子自溯源型光栅与二维材料的复合结构，分析金属光栅结构周期性变化对二维材料的声子极化激元耦合增强与调制作用，以及基于该原理实现对声子极化激元干涉条纹周期的精密测量。研究实现了测量干涉条纹周期为(261.01±0.34) nm的亚纳米级高精度测量，相比具有不确定度为4 nm的传统拟合测量方式具有可溯源的计量精度，同时实现了对测量仪器的亚纳米级精密校准。自溯源光栅天然溯源至基本自然常数的特性使得测量结果具备极好的准确性和可靠性，为二维材料在微纳光子学器件领域的应用提供了保障。

Mn⁴⁺激活荧光粉实现强零声子线（Zero phonon line，ZPL）发光将会使其发射光谱中短波红光增强，且常伴随荧光寿命缩短。本文对Mn⁴⁺激活氟化物红光荧光粉中具有强ZPL发光特征的28种荧光粉的组成、制备、晶体结构与荧光性质进行综述。发现了一些规律：（1）这28种荧光粉可以根据Mn⁴⁺与被取代离子是否为等价取代及被取代离子在基质中是否形成六配位分为四类。（2）［MnF₆］配位八面体畸变是Mn⁴⁺实现强ZPL发光的必要条件。（3）大部分Mn⁴⁺激活强ZPL氟化物荧光粉中Mn⁴⁺掺杂为对3+离子的不等价取代；在等价取代且被取代离子为六配位时，获得强ZPL发射的空间群主要为P321和P3m1等三方晶系空间群。（4）Mn⁴⁺在绝大多数强ZPL发射氟化物荧光粉中ZPL都弱于ν₆声子伴峰，仅在Na₂TiF₆∶Mn⁴⁺等5种荧光粉中ZPL强于ν₆峰。（5）其ZPL波长都在617~628 nm之间，多数为620 nm。（6）ZPL与Stokes ν₆峰的强度比不仅与荧光粉的化学组成有关；对于同一化学组成的荧光粉，该比值也随制备方法的改变而变化。