为了降低薄膜晶体管的寄生电容, 一种新型平坦化材料被引入。单独采用反应离子刻蚀(RIE)或增强电容耦合等离子刻蚀(ECCP)模式刻蚀该平坦化层均无法获得满意的工艺效果。为此, 提出了将RIE和ECCP相结合的方法用于新型平坦化层的刻蚀。实验结果表明: 当平坦化层厚度为2.0 μm时, 先以RIE模式7 kW/20 Pa条件刻蚀1.5 μm, 再以ECCP模式5 kW+4 kW/8 Pa条件继续刻蚀平坦化层及其下方的氮化硅, 刻蚀出的过孔图形表面光滑, 氮化硅层无底切, 平坦化层孔径均值6.12 μm。本研究结果为后续采用该平坦层材料的高分辨率、低功耗产品的设计和生产打下了坚实基础。

探究了节瘤缺陷平坦化技术中平坦化层（刻蚀层）厚度和种子源尺寸之间的刻蚀规律，同时解释了平坦化技术提高节瘤缺陷的损伤阈值的机制。在双离子束溅射系统中，使用SiO2微球模拟真实的种子源置于基板上，镀制1064 nm HfO2/SiO2高反膜，制备人工节瘤缺陷。对类似于实际种子源的SiO2微球一系列不同刻蚀程度的实验得出了节瘤缺陷平坦化技术的刻蚀规律：只要平坦化层（刻蚀层）的厚度稍大于节瘤缺陷的种子源粒径，就可以将种子源完全平坦化。使用时域有限差分法（FDTD）模拟不同平坦化程度的节瘤缺陷内电场增强的结果与节瘤缺陷的损伤形貌进行对比实验，将损伤形貌和损伤阈值与电场强度分布之间建立联系，表明平坦化技术可以改变节瘤缺陷原有的几何结构，有效抑制节瘤缺陷的电场增强效应。最后，通过对未经平坦化和经过平坦化处理后的节瘤缺陷进行损伤阈值测试，对比结果直接验证了节瘤缺陷平坦化技术可以实现对节瘤缺陷的调控，大幅度提高了节瘤缺陷的损伤阈值。

垂直腔面发射激光器因其具有低阈值、低功耗、可实现高速调制等优势, 广泛地应用于光通信和光互连等领域。寄生电容是影响激光器的调制带宽的主要因素之一。本文通过采用低k值的苯并环丁烯（BCB)平整技术有效地降低了垂直腔面发射激光器的寄生电容。详细研究了BCB平整技术的最优工艺参数, 为未来高速垂直腔面发射激光器的制造技术提供参考。低k值BCB平整垂直腔面发射激光器在7 μm氧化孔径下3 dB小信号调制带宽可达152 GHz。

采用射频磁控溅射技术在RB-SiC表面沉积Si平坦化层, 通过正交试验研究了射频功率、Ar流量和工作气压三个因素对薄膜表面质量和形貌的影响规律, 以获取最佳的薄膜沉积参数.射频功率120 W、工作气压1.2 Pa和Ar流量40 sccm条件下获得了最佳质量的平坦化样品, 利用电感耦合等离子体对平坦化膜层进行刻蚀抛光, 通过Lambda950分光光度计测试不同工艺阶段样品表面的反射率.结果表明, 相比于未处理的RB-SiC初始样品, 经过平坦化和等离子体刻蚀的样品表面粗糙度标准差值由1.819 nm减小至0.919 nm, 样品表面反射率相应地提高了2%.由此说明射频磁控溅射平坦化沉积与电感耦合等离子体刻蚀的组合工艺可实现RB-SiC表面的高质量加工.

作为一类新型LCD技术的LCoS显示屏是一种反射式液晶显示器,其镜面反射电极的平整性决定了整个显示器的亮度和对比度等主要显示参数.本文详细讨论了CMP技术在LCoS液晶显示器中实现平坦化的机理.

LCoS的核心——显示芯片既不同于普遍的IC芯片，又非传统的TFT-LCD驱动电路与显示矩阵简单组合的芯片，而是一块多功能、多结构、与现代CMOS制造工艺息息相关的片上系统(SOC：systemonchip),即整个显示系统集成到一个芯片上，因此SOC类芯片的设计必须全盘考虑整个系统的各种情况，也正是因为如此综合周全，与普通IC组成的系统相比，SOC可以在同样的工艺技术条件下，实现更高性能的系统指标.以新型的系统芯片方式设计生产的新一代微型显示器－LCos应用前景预计将非常广阔。