1 中国工程物理研究院激光聚变研究中心， 四川 绵阳 621900
2 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室， 浙江 杭州 310027
为解决大口径光学元件表面疵病检测设备的精确测量、校准和溯源问题。设计了用于标定表面疵病检测系统的标准板，通过电子束曝光将定标图案转移至掩模板，再采用反应离子束刻蚀的方法制作标准板。通过扫描电镜测量标准板上各标准线的真实线宽尺寸，并以扫描电镜测量结果为参考值标定大口径表面疵病检测系统。利用所设计的标准板标定基于散射成像法的大口径表面疵病检测系统。结果表明，当疵病线宽尺寸大于45 μm时，疵病的散射像满足几何成像原理，当疵病宽度尺寸小于45 μm时，需按标定结果进行计算。
光学设计 表面疵病 标准板 反应离子束 大口径光学元件 高功率激光驱动器 中国激光
2012, 39(s1): s116005
清华大学精密仪器系 精密测试技术及仪器国家重点实验室, 北京 100084
现代亚微米光栅的应用通常要求栅脊侧壁陡直。通过比较两种配备不同离子源的刻蚀机的反应离子束刻蚀结果,认为影响亚微米光栅侧壁陡直度的一个重要因素是离子束发散角(束散角),且小束散角有利于获得陡直的光栅侧壁。国内应用最广泛的双栅考夫曼刻蚀机束散角较大(大于13°),致使用常规方法获得的熔石英光栅的侧壁倾角仅为77°。针对此刻蚀机,尝试了三种提高侧壁陡直度的方法：旋转倾斜刻蚀法、交替倾斜刻蚀法和二次金属掩模法,分别把侧壁倾角提高到86°、86°和82°。最后从掩模侧壁收缩速率和槽底部与顶部离子通量的差异对束散角对侧壁陡直度的影响给予解释,并说明了上述三种方法的工作机理。
物理光学 衍射光栅 亚微米光栅 反应离子束刻蚀 侧壁陡直度
1 成都精密光学工程研究中心, 成都 610041
2 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室, 杭州 310027
提出一种微透镜阵列复制的新方法反应离子束蚀刻法(RIBE)。它在工作原理和参数控制等方面较传统的蚀刻方法有很大的先进性,能够实现蚀刻过程的精确控制。本文详细阐述了反应离子束蚀刻过程中蚀刻选择性的控制方法,通过对各种蚀刻参数的控制,最终实现了微透镜阵列在硅等红外材料上面形传递的深度蚀刻。口径<100 μm的F2微透镜阵列在硅基底上的传递精度达11.03,无侧向钻蚀。
微透镜阵列 微光学 干法蚀刻 反应离子束蚀刻 制作与测试
