在相对湿度低于90%（<90% RH）的大气环境下，通过界面种子层修饰策略，利用气动喷涂法制备出高结晶度、界面接触良好、结构稳定的CsPbIBr₂厚膜。界面种子层的引入对CsPbIBr₂厚膜的光学带隙（2.10~2.12 eV）没有太大的影响，但明显增强了其对光的吸收和发射，并且荧光寿命也明显延长（从0.95 ns 到4.49 ns）。由此厚膜制备的二极管型光电探测器（p-n CsPbIBr₂-ITO）具有非常低的暗电流（5.70×10^-10 A），并且展示出高效的光电探测性能：高开关比（1.8×10⁴）以及微秒级别的响应时间（上升时间和下降时间分别为9 μs、13 μs）。当未封装的CsPbIBr₂光电探测器处在<90% RH的大气环境下，其表现出强的抗水抗氧能力：储存60 d后，其仍能保持初始开关比的83%。所提方法为在大气环境下制备低成本、高性能、长效稳定的二极管型CsPbIBr₂光电探测器提供了一种有效的途径。

为了获得可靠的金属纳米尖的制作方法, 设计了基于模板微电铸工艺制备金字塔型纳米Ni尖的工艺流程并进行了实验验证。利用(100)型单晶硅的各向异性腐蚀特性在40%的KOH溶液中腐蚀以制备倒金字塔型的硅模具, 采用磁控溅射与正胶剥离工艺获得了厚度为200 nm的Ni种子层薄膜并进行金属图形化, 之后进行微电铸实验, 最后, 利用KOH腐蚀硅模具以释放金字塔型实体Ni纳米尖。实验结果表明: 利用ICP干法刻蚀代替HF酸腐蚀SiO2掩蔽窗口, 可将模具制作的相对误差降低约9%; 金字塔型Ni纳米尖的底部边长尺寸约为140 μm, 纳米尖最小曲率半径为54 nm; 微电铸工艺复制精度约为99%。采用微电铸工艺并结合硅片自停止刻蚀技术, 能够稳定可靠地制备出金字塔型Ni纳米尖, 实现了金属纳米尖的批量化制备, 从而降低了制造成本, 为纳米尖的广泛应用奠定了基础。

以不同退火温度处理后的ZnO籽晶层为基底, 采用水热法生长了ZnO纳米棒阵列。对制备得到的ZnO纳米棒阵列的形貌、结构以及发光特性进行了表征, 分析了籽晶层的退火温度对ZnO纳米棒阵列的形貌及发光性质的影响, 发现通过调节籽晶层的退火温度, 可以控制ZnO纳米棒的大小及密度, 并发现在经400℃退火后的籽晶层上生长的ZnO纳米棒阵列形貌最佳, 发光性能最优。

以不同热处理温度下制备的ZnO籽晶层为基底，采用水热法生长ZnO纳米棒阵列，对制备得到的ZnO纳米棒阵列的相结构和微观形貌以及发光特性进行了表征，分析了籽晶层热处理温度对ZnO纳米棒阵列性能的影响机理，发现在籽晶层热处理温度为450℃时，生长得到的ZnO纳米棒阵列空间取向最优，发光性能最好。