为了制备单芯片无荧光粉白光InGaN/GaN多量子阱发光结构, 利用选择性外延生长法在SiO2条纹掩膜板上生长出具有梯形形貌的GaN微面结构, 并在该GaN微面结构上生长InGaN/GaN多量子阱结构, 最终在单芯片上获得了双波长发光.结果表明: 梯形GaN微面由(0001)和(11-22)面组成, 两者的表面能和极性不同, 并且在InGaN/GaN多量子阱生长过程中,In原子和Ga原子迁移速率不同, 从而使得(0001)和(11-22)面上的多量子阱具有不同的发光波长; 该性质可以使(11-22)面的微面量子阱发出蓝光(峰值波长为420 nm), 而(0001)面的量子阱发出黄光(峰值波长为525 nm), 最终形成双波长的复合白光外延结构.

利用选择性横向外延技术生长{11-22}半极性面GaN模板，并利用半极性面模板生长InGaN/GaN多量子阱结构。结果表明，生长出的GaN模板由半极性面{11-22}面和c面组成，多量子阱具有390 nm和420 nm的双峰发光特性，局域阴极发光(CL)测试表明390 nm附近的发光峰来源于半极性面上的量子阱发光，而420 nm左右的发光峰源于c面量子阱发光。c面量子阱发光相对于斜面量子阱发光发生显著红移是因为在选择性横向外延生长过程中，In组分相比Ga较易从掩模区域向窗口中心区域迁移，形成了中心高In组分的c面量子阱，而半极性面上InGaN/GaN多量子阱量子限制斯塔克效应相比于极性面会减弱，此外，相同生长条件下半极性面的生长速率低于极性c面的生长速率。