1 南京理工大学 电子工程与光电技术学院,南京 210094
2 中国计量学院 光学与电子科技学院,杭州 310018
通过求解一维稳态少子扩散方程,推导了含有后界面复合速率和发射层厚度的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程.通过对发射层厚度分别为1.6 μm和2.0 μm,掺杂浓度为1×1019 cm－3的GaAs透射式阴极样品测试,理论曲线和实验曲线基本一致.通过引入表面光电压谱积分灵敏度公式,仿真探讨了表面光电压谱在一定体材料参量条件下,积分灵敏度受发射层厚度的影响；发现在体材料参量一定条件下,透射式GaAs光电阴极具有最佳厚度,同时最佳厚度受后界面复合速率的影响更大,同时GaAlAs窗口层也能很好降低发射层后界面复合速率.
GaAs光电阴极 表面光电压谱 电子扩散长度 发射层厚度 后界面复合速率 GaAs photocathodes Surface photovoltage spectroscopy Electron diffusion length Active layer thickness Backinterface recombination velocity
1 南京理工大学电子工程与光电技术学院， 江苏 南京 210094
2 中国计量学院光学与电子科技学院， 浙江 杭州 310018
通过求解一维稳态少数载流子扩散方程，推导了指数掺杂和均匀掺杂的透射式GaAs光电阴极表面光电压谱理论方程。利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长了发射层厚度相同、掺杂结构不同的两款透射式阴极材料。通过表面光电压谱实验测试和理论拟合发现指数掺杂结构在发射层厚度和后界面复合速率相同的情况下能够有效提高阴极电子扩散长度，这主要由于内建电场能够促使光生电子通过扩散和电场漂移两种方式向表面运动，从而最终提升阴极的发射效率和表面光电压谱。利用能带计算公式和电子散射理论对这两种不同结构材料的表面光电压谱进行了详细分析。
光电子学 GaAs光电阴极 表面光电压谱 电子扩散长度
