为了调节极窄带滤波器的带宽, 提出了一种新型的AWLR混合滤波器, 此结构引入导抗逆变器对滤波器的带宽进行调节, 该文对其调节带宽的原理和准则进行了研究。分析二端口网络的参数矩阵, 将引入导抗逆变器前后的电路网络参数进行比较, 得到其调节带宽的准则。比较引入不同逆变器后的仿真结果, 并进行验证。以J=1/123的J型逆变器为例, 引入逆变器后, 滤波器的相对带宽从0.072%提高到0.41%。获得导抗逆变器调节AWLR混合滤波器带宽的准则, 并验证了其正确性。

为了模拟高频低损耗声表面波（SAW）滤波器的设计, 该文采用二端口阻抗元2T结构建立了包含外壳及点焊线电磁响应的数学模型, 并利用回路电流分析法, 推导出该模型下的Y、S参数。且在该模型基础上用Matlab编写了程序, 为某电台设计了一款频率为1 561 MHz,-1 dB带宽大于30 MHz, 插入损耗小于2 dB, 带外抑制大于40 dB的SAW滤波器,理论模拟与实测吻合较好, 表明了此模型在设计高频低损耗SAW滤波器的可行性。

为了使复杂的纳米MOSFET毫米波噪声物理模型可用于工程设计，研究了其简洁模型的表达形式。通过器件的双端口相关噪声矩阵变换和分析，实现了复杂的噪声物理模型的简化。所提出的简洁模型不仅高精度地表征了器件的非准静态效应，并且可通过Verilog-A语言以四结点的形式，直接嵌入到ADS仿真设计工具，从而在保证精度的同时，大大降低了设计的复杂度。实验结果验证了所建模型在强反型区和弱反型区均比现有的三结点模型具有更高的准确性。

为了有效地表征45 nm MOSFET毫米波频段下的电学特性, 研究了其高频等效电路的建模方法。基于45 nm MOSFET的器件物理结构及其导纳参数分析, 通过综合考虑器件的本征物理特性、管脚及测试寄生特性, 提出了一种准静态近似的高频等效电路模型及其参数直接提取的高精度简化算法, 以此来统一表征模型参数从强反型区到弱反型区的偏置依赖性, 并使之在不同偏置条件下的特性表征具有良好的连续性, 以便于移植到商业仿真设计自动化工具中。通过ADS2013仿真工具的散射参数模拟结果与测量数据的一致性比较, 验证了所建模型的实用性及其参数提取算法的准确性, 并表征了45 nm器件的偏置依赖性。

采用Laplace变换的方法求解了无损耗情况下层叠Blumlein线输出电压的解析表达式。从传输线两端口网络模型出发，分别求出了负载端短路和开路时传输线特征阻抗的频域表达式。简化了单Blumlein线电路结构，并求出了其输出电压的解析表达式。在此基础上，结合电路叠加原理，求解出了典型的2级层叠Blumlein线输出电压的时域解析表达式。采用递推法，推广得到任意级数情况下的输出电压波解析解。