1 重庆邮电大学 光电工程学院, 重庆 400065
2 深圳技术大学, 广东 深圳 518118
基于3 dB分支定向耦合器的S参数特性,提出了一种新型的相位差和分配比同时可调的功分器。通过改变该功分器的两条横向传输线的电长度,可以实现功分器的相位差和分配比可调。当3 dB分支定向耦合器的两条横向传输线的电长度之和保持为180°时,可采用基于变容二级管的可调移相器分别替换两条90°横向传输线,由此设计出了两种连续可重构功分器。通过ADS仿真和版图设计,基于π型移相器的可重构功分器的相位差在244°范围内可调,而基于反射型移相器的可重构功分器的相位差可调范围为407°,且同时实现分配比在-4.6~11.1 dB(约11~101)范围内可调。
变容二极管 可调移相器 可重构功分器 varactor diode adjustable phase shifter reconfigurable power divider
电子科技大学 极高频复杂系统国防重点学科实验室, 四川 成都 611731
研究了基于平面肖特基变容二极管的440 GHz串联式宽带二倍频器。在基波功率20 mW驱动下, 仿真显示在400~480 GHz变频损耗小于10 dB, 输出功率大于2 mW, 相对带宽18%。整个倍频器制作在一块30 μm厚的石英基片上, 无机械调谐结构, 结构简单, 便于加工。
太赫兹 二倍频器 宽带 变容二极管 terahertz frequency doubler broadband varactor diode 太赫兹科学与电子信息学报
2018, 16(4): 595
中国工程物理研究院 电子工程研究所, 四川 绵阳 621999
提出了一种C波段透射率可调的压控超材料表面。该超材料表面由加载变容二极管的新型可调超材料单元构成, 通过直流偏置电压控制变容二极管的电容值, 调节超材料单元的电磁特性。通过仿真并计算超材料单元的散射系数、等效介电常数和等效磁导率, 该单元的可调谐振频域为5.2~5.6 GHz。将压控超材料表面与微带天线相结合, 超材料表面透射率可改变天线远场辐射方向图, 通过其对远场辐射方向图的调节, 验证了可调超材料表面的性能。对设计的压控超材料表面加0.5~10 V的直流偏置电压, 该超材料表面工作频率为5.4 GHz, 其透射率能有效调节20 dB。
C波段 变容二极管 透射率 可调超材料 C-band varactor diode transmittance tunable metamaterial 太赫兹科学与电子信息学报
2017, 15(5): 793
1 中国科学院空间科学与应用研究中心 微波遥感重点实验室, 北京 100190
2 中国科学院大学, 北京 100190
3 南京电子器件研究所 微波毫米波模块电路事业部,江苏 南京 210016
结合国内现有的加工工艺水平, 提出自偏置条件下的反向并联二极管对电路结构.不但解决了三倍频器偏置电路加工的难题, 而且可以有效实现奇次倍频.同时, 利用HFSS和ADS软件, 以场路结合的方式准确模拟三倍频器的电特性, 考虑到寄生参数引入的影响.设计完成以后, 器件加工以及电装过程均在国内完成.测试结果表明在221GHz处, 有最大输出功率3.1mW, 在219～227GHz频率范围内输出功率均大于2mW.以上研究为今后设计高效率亚毫米波倍频器提供重要的参考价值.
三倍频器 变容二极管 自偏置 阻抗匹配 tripler varactor diode self-bias impedance matching
