1 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心，四川成都 610200
2 中国工程物理研究院电子工程研究所，四川绵阳 621999
基于GaAs 0.1 μm pHEMT工艺，设计了一款工作在 0.1~0.14 THz的小型化定向耦合器芯片。采用加载开路枝节线的方式提高传输线的等效电长度，进而实现电路结构的小型化；利用曲折线的方式构成开路枝节线，使得耦合器的物理尺寸进一步缩小。采用电磁仿真软件仿真表明，所设计的小型化定向耦合芯片中心工作频率为 0.12 THz，相对带宽大于 30%，带内的回波损耗高于 20 dB，带内插入损耗小于 1 dB，耦合度为( 10±0.5) dB，带内隔离度大于 20 dB，直通端口与耦合端口相位差为 90°±3.5°，其尺寸为0.21 mm×0.19 mm(不计 Pad尺寸)。
砷化镓 小型化 定向耦合器 开路枝节 曲折线 GaAs miniaturization directional coupler open branch zigzag line 太赫兹科学与电子信息学报
2019, 17(3): 353
