以Na2MoO4·2H2O和C2H5HS为原料, 采用水热法和光照法制备了MoO3/MoS2复合结构.使用透射电子扫描显微镜、X射线衍射、X射线光电子能谱仪和紫外可见分光光度计等手段表征了样品的形貌、结构和光致变色性能.结果表明：所制备的样品呈纳米线束状结构.当Na2MoO4·2H2O和C2H5HS比例为1∶3时, 样品呈黄色; 当Na2MoO4·2H2O和C2H5HS比例为1∶3以下时, 样品呈蓝色.所制备样品具有光致变色效应, 当Na2MoO4·2H2O和C2H5HS比例为1∶2时, 材料的光致变色性能最好.优异的光致变色性能归因于MoO3/MoS2复合结构具有合适的能带结构, 从而有效地分离光生载流子, 抑制了电子和空穴的复合.

报道了一种基于MoO3可饱和吸收体的连续锁模、调Q锁模掺镱光纤激光器.采用环形腔结构,在泵浦功率为95 mW时, 获得了稳定的重复频率为17 MHz的连续锁模脉冲输出, 单脉冲宽度为130 ps, 光谱中心波长为1 067.06 nm, 谱线3 dB带宽为0.27 nm. 在泵浦功率为280 mW时, 产生稳定的调Q锁模脉冲输出. 当泵浦功率从280 mW变化到400 mW的过程中, 调Q锁模包络重复频率从26.51 kHz变化到48.7 kHz, 包络半高宽度从14.6 μs变化到4.1 μs, 子脉冲的宽度和光谱中心波长基本保持不变, 谱线3 dB带宽变为0.62 nm.

运用传输矩阵法和正交分析法模拟计算出MoO3/Ag/MoO3透明电极的最佳厚度,采用镀膜实验验证模拟计算的准确性,制备了一系列不同MoO3膜厚度和Ag膜厚度的透明电极.然后,制备了一系列顶发射有机电致发光器件：铝/氟化锂(LiF)/三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)/N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺/三氧化钼(MoO3)/银(Ag)/三氧化钼(MoO3),来进一步验证模拟计算运用在器件制备中的准确性.MoO3(10 nm)/Ag(10 nm)/MoO3(25 nm)在532 nm处的透射率达到最大值88.256%,以该透明电极制备的器件与参考器件相比,性能有了明显提高,最大亮度和最大效率分别为20 076 cd/m2和4.03 cd/A,提高了18.5%和56%.器件性能的提高归因于顶发射OLED器件透射率的提高和MoO3对空穴注入能力的提升.

采用Cs2CO3∶Alq3/MoO3作电荷产生层，制备出高效双单元串联型叠层有机发光器件。双单元叠层有机发光器件发光性能受电荷产生层MoO3的厚度影响很大。当MoO3厚度为30 nm时，叠层器件表现出最好的器件性能，最大电流效率达到14.5 cd/A。在相当宽的低电流密度范围内，30 nm MoO3叠层器件的电流效率是对比单层器件电流效率的2倍以上; 但高电流密度下，叠层器件电流效率下降较快。叠层发光器件性能的提高与中间电荷产生层向上下两个发光单元有效的电子、空穴注入有关。

针对有机发光器件需要提高发光效率问题, 利用其最高被占用分子轨道(HOMO)有利于改善空穴注入的特点, 将氧化钼(MoO3)插入m-MTDATA与NPB之间; 将羟基喹啉锂(Liq)掺入4,7-联苯-1, 10-邻二氮杂菲(Bphen)作n型电子传输层,制备具有空穴缓冲层和n型掺杂电子传输层的有机电致发光器件。通过单载流子电子器件J-V曲线的比较, 将掺杂质量分数确定为w(Bphen)∶w(Liq)=65∶35。在完整器件中, 随着MoO3厚度的增加, 器件效率改善显著, 当MoO3厚度达到1nm时, 器件性能最佳, 此后趋于饱和, 对厚度变化不敏感。说明使用MoO3及n型掺杂后空穴及电子的注入传输均获得明显提高, 并在发光区域达到有效平衡, 器件的亮度及发光效率获得明显改善, 与控制器件相比, 电流效率、功率效率及亮度分别提高约62%、约98%和约60%, 电压V下降了约28%。

研究了三氧化钼(MoO3)薄层作为有机电致发光器件空穴注入层的器件性能和注入机制。发现1 nm厚度下发光器件性能最佳，器件的最大电流效率比对比发光器件的最大电流效率提高1.6倍。器件的电容曲线表明MoO3薄层能有效提高空穴载流子的注入，多数载流子开始注入的拐点大约降低了9 V。单空穴载流子电流曲线说明MoO3器件的电流注入是空间电荷受限电流注入机制，MoO3使阳极界面处形成欧姆接触，而对比器件的电流注入是陷阱电荷受限电流注入机制。器件的光伏曲线进一步说明器件性能的提高是由于MoO3层能使阳极界面能级分布发生改变，1 nm MoO3厚度下器件的内建电势从对比器件的0.25 V提高到了0.8 V，有效降低了空穴注入势垒，提高了器件性能，但过厚的MoO3层由于增加了器件的串联内阻，会导致器件性能降低。