采用理论分析和微波注入实验相结合的方法，分别研究了以74HC04和74LVCU04A两种芯片为核心的反相器基本缓冲及数模转换电路的微波效应问题，通过反相器闩锁过程对非线性扰乱进行了机理分析，并利用微波注入实验详细分析了非线性扰乱效应的微波有效功率阈值及其随频率、脉冲宽度的变化。实验结果表明：在固定环境温度条件下，有效注入功率大于33 dBm，频率在3 GHz以下的微波均可使74HC04效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上；有效注入功率大于30 dBm，频率在3 GHz以下的微波均可使74LVCU04A效应电路的非线性扰乱强度达到10%以上。相同非线性扰乱强度的注入有效功率阈值近似随频率的提高而增大。非线性扰乱阈值随注入微波信号脉宽变化明显，拐点为40~70 ns不等，与反相器中的互补型金属氧化物半导体器件寄生三级管的导通电流积累有关。

文章提出一种速率为1.25 Gbit/s、具有可控电流监控的光纤通信用跨阻放大器(TIA)电路，该放大器可以通过拉电流和灌电流两种方式来检测电流监控的电流流向。设计使用的是0.18 μm的标准互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺。仿真结果表明，光电流在1 μA～1 mA范围内时，各种工艺条件下检测到的光电流误差均小于5%。

文章采用0.25 μm互补型金属氧化物半导体( CMOS)工艺设计了一种622 Mbit/s速率光接收模块的限幅放大器，整个系统包括偏置电路、输入缓冲、三级放大、输出缓冲和直流反馈，采用全差分结构。利用3.3 V电源供电，功耗约为109 mW，电路增益可达97 dB，在46 dB的输入动态范围内可以保持790 mV的恒定输出摆幅。

较详细地分析了用于全硅片上光互连所用光波导(如多晶 Si/ SiO2、Si/ SiO2、Si3N4/SiO2)需满足的基本条件、制作方法以及损耗机制, 总结了目前的研究进展。