1 河北大学物理科学与技术学院 河北省光电信息材料重点实验室, 河北 保定 071002
2 石家庄铁道大学 材料科学与工程学院, 河北 石家庄 050043
研究了CH3NH3PbI3薄膜在光浴条件下的光致发光量子效率演化行为。在光浴过程中, CH3NH3PbI3薄膜的光致发光量子效率表现为先增大再减小的变化趋势。发光动力学测量实验表明, 在光浴过程中, CH3NH3PbI3薄膜的载流子复合寿命与光致发光量子效率具有相同的变化趋势, 即先增大再减小。根据实验结果可以推断, 光浴引发CH3NH3PbI3薄膜发生两种物理过程, 分别使其光致发光量子效率升高和降低。两种过程共同决定了CH3NH3PbI3薄膜在光浴条件下的光致发光量子效率演化行为。
光浴 光致发光量子效率 缺陷 钝化 light soaking CH3NH3PbI3 CH3NH3PbI3 photoluminescence quantum efficiency defect passivation
