湖北台基半导体股份有限公司, 湖北 襄阳 441021
介绍一种超高速脉冲半导体器件，该器件属于穿通型器件，电压可达到5000 V，电流上升率可以达到20 kA/μs 以上，根据参数调配，脉冲峰值电流可以达到数百kA。该器件采用多元胞集成结构，采用缓冲层与阳极透明层相结合的扩散技术，使其在压降和开通等方面相对于传统的晶闸管原理开关有更强的优势。并且，该超高速脉冲器件在工艺设计及实现上进行了优化，使生产条件易满足。
脉冲功率技术 晶闸管 穿通型 缓冲层 多元胞集成结构 pulsed power technology thyristor punch-through buffer layer multiple-round-cell integrated structure 强激光与粒子束
2014, 26(4): 045005
中国工程物理研究院 流体物理研究所， 四川 绵阳 621900
基于半导体放电管过电压自击穿原理，探索设计了一种固体场畸变三电极开关。该开关由两组半导体放电管阵列印刷电路组成，受到触发时，一组半导体放电管阵列首先击穿，另一组阵列继而过电压自击穿，开关导通。实验测试了特定幅值触发脉冲时的负载电压，初步验证了半导体放电管固体场畸变三电极开关设计的可行性。讨论了降低开关导通电感，提高通流能力、工作电压及运行频率的方法。
半导体放电管 场畸变 三电极 多元胞 semiconductor arrester field distortion three-electrode multi-cell
