本文通过电学特性测试设备在黑暗(Dark)和光照(Photo)两种测试环境下, 研究了沟道不同a-Si剩余厚度对TFT电学特性的影响。通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si 剩余厚度, 找出电学特性稳定区域以及突变的临界点。实验结果表明: 在黑暗(Dark)环境下a-Si 剩余厚度在30%~48%之间时, TFT器件的电学特性比较稳定, 波动较小; 而剩余厚度少于30%时, TFT特性变差, 工作电流变小, 开启电压变大, 电子迁移率变小; 在光照环境下主要考虑漏电流的影响, 在a-Si剩余厚度43%以内时, 光照 Ioff相对较低(小于Spec 20 pA), 同时变化趋势较缓; 而剩余厚度大于43%时, 光照Ioff增加25%, 同时变化趋势陡峭。综合黑暗和光照测试环境, 在其他条件不变的情况下, a-Si 剩余厚度在30%~43%之间时TFT的电学特性较好, 同时相对稳定。
a-Si剩余量 电学特性 工作电流 漏电流 a-Si remain electrical characteristics Ion Ioff
1 中国科学院大学, 北京 100049
2 中国科学院 声学研究所, 北京 100190
为了研究垂直腔面发射激光器(VCSEL)输出的光功率与器件温度的关系, 确定用户可正常使用网络的温度范围, 采用输出光功率与工作电流关系(P-I)模型进行了理论分析及实验验证, 并通过简化模型参量及引入电压与电流关系(U-I)特性曲线来优化模型。采用了Levenberg-Marquardt(LM)算法来实现模型参量的求解, 对比20℃下的测量数据与拟合数据的相似度, 预测得到不同温度下的P-I特性曲线数据。结果表明, 在固定温度下, 输出光功率随着驱动电流的增加先增后减; 在固定的驱动电流下, 输出光功率随着温度增加而减小; 要保证用户正常上网, 电机房里VCSEL激光器工作的环境温度最多不能高于31℃。
激光器 温度特性 输出光功率与工作电流关系(P-I) 垂直腔面发射激光器 Levenberg-Marquardt算法 lasers temperature characteristics relationship between output power and working curr vertical cavity surface emitting laser Levenberg-Marquardt algorithm
能量色散X射线荧光(EDXRF)光谱法分析复杂背景样品中的低含量元素时，X 射线散射产生的干扰会影响系统检测精度，而X 射线散射与X 射线束斑强度密切相关。利用微光像增强器采集了不同工作电流下X 射线束斑的投影图像，用投影光斑外围杂散射线强度表征X 射线散射强度，分析得到了减小X 射线束斑强度的两种方式，即降低X 射线管工作电流和减小准直器孔径。通过实验对比发现，利用EDXRF 法分析样品中低组分元素时，用减小准直器孔径的方法来降低X 射线散射，要比降低X 射线管电流的方式更加有效，且减小准直器孔径的同时增大X 射线管工作电流能够提高系统检测精度。实验结果表明，该方法检测土壤中微量元素Cr 时，实际相对误差为0.9%~6.6%，相对标准偏差为0.7%~1.5%，经过t 检验，p>0.05，测试结果在统计学上与标准样品结果无显著差异。
光谱学 射线强度 工作电流 准直器 杂散射线 射线光学
合肥京东方光电科技有限公司， 安徽 合肥 230012
通过在线电学测试设备，研究了不同a-Si厚度对TFT开关电学特性的影响。本试验通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si的剩余厚度，在此基础上找出电学特性比较稳定的区域和电学特性变差的临界点。试验结果表明，在其它条件不变的情况下，a-Si剩余厚度在33～61%时TFT的电学特性比较好，a-Si剩余厚度小于33%之后，TFT的电学特性变差，即工作电流变小，阈值电压变大，迁移率变小。
a-Si厚度 电学特性 工作电流 阈值电压 迁移率 TFT TFT a-Si thickness electrical characteristic Ion Vth Mob
1 大连理工大学,物理系,辽宁,大连,116024
2 辽宁师范大学,物理系,辽宁,大连,116029
以2 W连续红外(980 nm)半导体激光器(InGaAs)和120 mW连续红外(980 nm,带制冷器与尾纤)半导体激光器(InGaAsP)为例,测量激光器输出光束的波长随工作电流变化的规律.实验结果表明:工作电流增加,光束波长向长波红移,斜率分别近似为0.374 nm/100 mA、0.220 nm/10 mA;工作电流大时的红移现象比电流小时明显.
半导体激光器 工作电流 波长 红移 Semiconductor laser Operation current Wavelength Red shift
