中国电子科技集团公司 第三十八研究所，安徽 合肥 230088
针对 Cascode结构振荡器进行研究，通过理论推导和分析，给出两级负阻提升的通用模型，该模型可以被广泛应用于混沌电路设计中，实际电路设计时可以用合适的负阻电路单元替代两级结构中的下级部分，实现电路负阻的提升。仿真设计结果表明，基于该模型设计的混沌电路的混沌振荡基频 f0为 4.2 GHz，f0/fT值达到 0.46，较经典单级电路有较大提升。
Cascode结构 混沌电路 负阻模型 振荡频率 Cascode chaotic circuit negative resistance model oscillation frequency 太赫兹科学与电子信息学报
2019, 17(3): 531
1 中国工程物理研究院 a.电子工程研究所，四川绵阳 621999
2 b.微系统与太赫兹研究中心，四川成都 610299
为了获得 T型栅应变高电子迁移率晶体管( mHEMT)器件，利用电子束(Electron beam， E-beam)光刻技术制备了 210 nm栅长，减小 mHEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻。采用 PMMA A4/ PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了 210 nm栅长T型栅极。 InAlAs/ InGaAs异质结 GaAs-mHEMT器件的直流特性和高频特性分别通过 Agilent B1500半导体参数分析仪和 Agilent 360 B矢量网络分析仪测试。直流测试结果显示， 210 nm栅长InAlAs/InGaAs沟道GaAs-mHEMT单指器件的最大有效输出跨导( gm:max)为195 mS/mm，器件最大沟道电流 160 mA/mm。射频测试结果显示，电流增益截至频率( fT)和最高振荡频率( fmax)分别为 46 GHz和115 GHz。同时欧姆电极特性和栅极漏电特性也被表征，其中栅极最大饱和漏电流密度小于 1×10-8 A/μm。
T型栅 应变高电子迁移率晶体管 电流增益截至频率 最高振荡频率 T-gate mHEMT current gain cut-off frequency maximum oscillation frequency 太赫兹科学与电子信息学报
2018, 16(1): 17
中国工程物理研究院 核物理与化学研究所, 四川 绵阳 621900
为合理选择堆振荡器法实验条件, 利用数值求解和公式推导, 对影响测量精度的几项主要因素进行了分析。研究表明, 通过选择合适的反应性振荡幅度及频率, 可以提高堆振荡器法测量反应性的精度。由分析结果可知, 对于中子代时间较短的反应堆, 要使用堆振荡器法测量小反应性, 在测量条件允许的情况下, 应尽可能选择高频率的反应性振荡。
堆振荡器法 反应堆传递函数 点堆模型 反应性 误差分析 振荡频率 pile-oscillator method reactor transfer function point reactor model reactivity error analysis oscillation frequency 强激光与粒子束
2018, 30(6): 066002
中国工程物理研究院 微系统与太赫兹研究中心, 四川 成都 610200
介绍了一种InP衬底上的平面In0.53Ga0.47As耿氏二极管的设计、制作和测试方法。为了提高器件的输出功率, 使用Advanced Design System 2011仿真软件设计了50 Ω共面波导馈电结构作为器件电极, 减少测试功率损耗; 同时在版图设计时加大了金属电极面积, 改善器件的散热效果。测试结果表明, 当所加电压为4.4 V时, 沟道长度和宽度分别为2 μm和120 μm器件的基波振荡频率为168.3 GHz, 输出功率为-5.21 dBm。这种高功率平面结构耿氏二极管在太赫兹频段具有巨大的应用潜力。
太赫兹 平面耿氏二极管 振荡频率 terahertz In0.53Ga0.47As In0.53Ga0.47As planar Gunn diode fundamental oscillation frequency 太赫兹科学与电子信息学报
2017, 15(5): 697
1 无锡市计量测试院 江苏 无锡 214101
2 北京工业大学激光工程研究院 北京 100124
采用高速摄像仪和多通道光谱仪对CO2激光深熔焊接过程中的光致等离子体进行了实时观测和分析, 在局域热力学平衡(LTE)条件下, 利用多谱线斜线法计算了等离子体的温度, 并定量的研究了稳定的激光深熔焊接过程中等离子体的时间特性, 并分析了等离子体的振荡特性与焊接稳定性的关系及其对焊缝成形的影响。研究表明, 在稳定的激光深熔焊接过程中, 光致等离子体成一定频率振荡, 上下起伏的振荡频率和尺寸大小波动的频率大致相符, 其频率基本和焊缝表面鱼鳞纹条纹的生成频率一致。而在激光深熔焊接过程的不稳定阶段, 对应的焊缝表面鱼鳞纹的生成频率和等离子体的振荡频率差异很大。
激光焊接 等离子体 振荡频率 焊缝成形 laser welding plasma oscillation frequency weld formation
上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
聚合物分散液晶全息光栅具有电场可调的特点,材料中掺杂纳米银颗粒, 能够有效降低光栅的驱动电压.由于聚合动力学的影响, 会造成纳米银颗粒在光栅中的非均匀分布, 即纳米银在聚合物和液晶区分布含量不均匀, 表现出不同的电场调控特性.通过等效电路建模的方法研究驱动电压阈值与所施加交流电场的频率之间的关系.根据Maxwell-Wagner效应建立纳米银分别被液晶和聚合物包围的等效电路模型, 具体研究在液晶条纹中, 纳米银含量占总纳米银比例不同的条件下, 纳米银掺杂的聚合物分散液晶全息光栅的介电弛豫时间和弛豫振荡的频率数值变化, 进一步调节驱动电场频率, 获得更低的驱动电压阈值.通过最优驱动电场频率范围来初步确定纳米银在光栅中的分布结构, 并证明纳米银颗粒集中在液晶条纹, 少量分布在聚合物条纹中.
聚合物分散液晶全息光栅 弛豫振荡频率 阈值驱动电压 非均匀分布 holographic polymer dispersed liquid crystal relaxation oscillation frequency threshold driving voltage non-uniform distribution
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室, 吉林 长春 130033
2 中国科学院大学, 北京 100049
基于激光器的增益理论和动态理论, 结合经典的激光器速率方程, 分析了激光器有源区尺寸、光纤光栅结构、耦合效率和注入电流等参数对频率噪声和弛豫振荡频率的影响。以获得低频率噪声和高驰豫振荡频率为目标, 进行数字仿真, 仿真结果表明, 较小的激光器有源区尺寸、较强的外腔光反馈和较高的注入电流有利于改善噪声特性, 其中注入电流的影响尤为重要。当注入电流为阈值电流的9倍时, 频率噪声降低约14.7%, 弛豫振荡频率增加约6.0 GHz。
激光器 半导体激光器 外腔 光纤光栅 频率噪声 弛豫振荡频率 激光与光电子学进展
2017, 54(1): 011401
河北半导体研究所 专用集成电路国家级重点实验室, 河北 石家庄 050051
基于蓝宝石衬底InAlN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的InAlN/GaN异质结场效应晶体管 (HFETs).基于再生长n+ GaN欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小, 有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外, 采用自对准栅工艺制备60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小, 在Vgs= 1 V时, 器件最大饱和电流(Ids)达到1.89 A/mm, 峰值跨导达到462 mS/mm.根据小信号测试结果, 外推得到器件的fT和fmax分别为170 GHz和210 GHz, 该频率特性为国内InAlN/GaN HFETs器件频率的最高值.
异质结场效应晶体管(HFETs) 电流增益截止频率(fT) 最大振荡频率(fmax) InAlN/GaN InAlN/GaN heterostructure field-effect transistors(HFET) unity current gain cut-off frequency(fT) maximum oscillation frequency(fmax)
河北半导体研究所 专用集成电路国家级重点实验室, 河北 石家庄 050051
基于SiC衬底AlGaN/GaN异质结材料研制具有高电流增益截止频率(fT)和最大振荡频率(fmax)的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs).基于MOCVD外延n+ GaN 欧姆接触工艺实现了器件尺寸的缩小, 有效源漏间距(Lsd)缩小至600 nm.此外, 采用自对准工艺制备了60 nm T型栅.由于器件尺寸的缩小, 在Vgs=2 V下, 器件最大饱和电流(Ids)达到2.0 A/mm, 该值为AlGaN/GaN HFETs器件直流测试下的最高值, 器件峰值跨导达到608 mS/mm.小信号测试表明, 器件fT和fmax最高值分别达到152 GHz和219 GHz.
异质结场效应晶体管 电流增益截止频率 最大振荡频率 再生长欧姆接触 AlGaN/GaN AlGaN/GaN HFET fT fmax regrown Ohmic contacts
