室温下掺铊碘化铯(CsI∶Tl)晶体的吸收谱在230～320 nm范围内有3个特征峰：310 nm(4 eV)、270 nm(4.6 eV)和245 nm(5.1 eV)。采用这3种不同激发能量(对应不同激发机制)的近紫外(UV)光激发得到的荧光(PL)光谱相同。这些PL谱与钨(W)靶X射线激发的辐照致荧光(RL)谱也类似。经分峰计算, PL和RL均含有4种熟知的3.1 eV(400 nm)、2.55 eV(486 nm)、2.25 eV(550 nm)和2.1 eV(590 nm)发光组分, 但RL中2.1 eV组分高于PL, 同时2.55 eV组分又低于PL。分析认为, 这一差异来自于X射线对晶体的辐照损伤Tl＋Va＋、Tl0Va＋, 相关的2.1 eV吸收峰与2.55 eV发光带重叠。结果表明：X射线比紫外光更易产生损伤从而影响晶体CsI∶Tl的发光特性。