强激光与粒子束
2022, 34(7): 075017
强激光与粒子束
2020, 32(2): 025014
1 西安交通大学 电子物理与器件教育部重点实验室, 西安 710049
2 西北核技术研究所, 西安 710024
半导体断路开关的输出电压中的预脉冲现象, 严重影响了整个系统的输出脉冲前沿陡度和重复频率。针对半导体断路开关在反向截断过程中预脉冲产生的过程和机理进行了研究。利用Silvaco Atlas仿真软件对半导体断路开关正反向泵浦过程中载流子的迁移和电场的变化过程进行了详细考察, 发现预脉冲的产生是由双边截断过程中N-N+结截断所引起的脉冲前沿变缓现象, 其长短主要取决于P型轻掺杂区内的少子电子的迁移率, 而脉冲前沿的陡度则取决于双边截断过程中的PN结截断过程。同时, 对具有不同基区长度的器件, 对其在不同泵浦电流密度下的情况进行了模拟和对比, 发现器件基区越窄, 脉冲前沿越陡, 而预脉冲基本相等; 低电流密度条件下只发生N-N+结单边截断, 大电流密度条件下则发生双边截断, 而双边截断的延迟更长, 但脉冲前沿拐点更陡, 截断更快。
半导体断路开关 预脉冲 脉冲前沿 迁移率 双极漂移 双边截断 semiconductor opening switch pre-pulse rise time mobility bipolar drift bilateral interruption 强激光与粒子束
2018, 30(6): 065001
中国工程物理研究院 流体物理研究所, 四川 绵阳 621900
根据电爆炸箔断路开关的简化数值模型和不可压缩固体套筒的零维模型,利用Matlab编写了用于模拟圆盘型发生器驱动固体套筒内爆的一体化程序D-Liner,对圆盘型发生器、电爆炸箔断路开关、固体套筒内爆的耦合过程进行了数值模拟,分析了电爆炸断路开关工作电压、套筒半径、套筒速度的变化过程以及电爆炸断路开关对发生器电流波形的影响,并对套筒参数进行了优化设计。计算结果表明,以直径400 mm的十单元圆盘型发生器为驱动源,采用长度72 cm、厚度120 μm的铜箔作为脉冲锐化开关,当初始电流为5.9 MA时,圆盘型发生器能够获得35 MA的脉冲大电流,电爆炸箔断路开关在击穿与之并联的间隙开关之后可以在固体套筒上产生230 kV的高电压和31 MA、特征上升时间1.6 μs的脉冲大电流,能够把50 g柱形铝套筒加速到13.7 km/s。
圆盘型发生器 固体套筒 电爆炸断路开关 比作用量 数值模拟 disk explosive magnetic generator solid liner electrically exploded opening switch specific action numerical simulation 强激光与粒子束
2017, 29(2): 025004
1 中国工程物理研究院 应用电子学研究所,四川 绵阳 621999
2 高功率微波技术重点实验室,四川 绵阳 621999
依据高重频高压纳秒脉冲输出的要求,基于半导体断路开关(SOS)的工作特点,设计了高重频高压纳秒脉冲源脉冲发生器线路。分析发生器线路的工作原理,对输出脉冲幅度50 kV/100 Ω、脉宽约10 ns~20 ns 和重复频率100 kHz 脉冲源的线路中关键器件的参数进行了计算。分析关键器件SOS、饱和脉冲变压器、副开关要求,给出了关键器件的选型参考。
高重频高压纳秒脉冲 半导体断路开关 脉冲源 饱和脉冲变压器 high repetition high voltage nanosecond pulse Semiconductor Opening Switch pulse generator saturable transformer 太赫兹科学与电子信息学报
2016, 14(1): 122
西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟及效应国家重点实验室, 西安 710024
“强光一号”等离子体断路开关(POS)及负载二极管系统工作性能不够稳定, 通过分析数据指出POS等离子体源参数差异性是导致系统不稳定的主要原因。POS等离子体源参数重复性测量结果表明, 在开关断路时刻等离子体源瞬时发射等离子体密度重复性极差在10%左右, 而开关区间累积等离子体密度极差超过100 %。开关区间累积等离子体密度和阴极重粒子发射会对POS断路性能产生显著影响。计算表明开关区间累积等离子体密度差异对POS断路电流阈值影响达到200 kA, 与运行数据统计结果一致; 在断路电流阈值相同的条件下, 阴极物质逸出对二极管电压影响显著, MCNP程序计算结果表明, 产生辐射剂量差别可以达到80%, 与统计数据相当。
等离子体断路开关 稳定性 等离子体密度 阴极物质逸出 plasma opening switch stability plasma density cathode matter ejection 强激光与粒子束
2014, 26(8): 085104
电子物理与器件教育部重点实验室(西安交通大学), 西安 710049
采用Silvaco TCAD软件,对P+-P-N-N+SOS结构输出脉冲宽度的参数影响规律进行了一维数值模拟研究,包括N+区扩散深度、有效横截面积、外电路参数等。模拟结果表明:随着N+区扩散深度、有效横截面积的增加和外电路电阻的增大,输出脉冲的宽度减小。通过参数优化,获得了脉宽约为4 ns的输出脉冲。
半导体断路开关 数值模拟 截断特性 脉冲宽度 semiconductor opening switch numerical simulation interruption characteristic pulse width 强激光与粒子束
2014, 26(6): 063021
1 西安电子工程研究所, 西安 710100
2 西安交通大学 电气工程学院, 西安 710049
电爆丝断路开关是在电感储能系统中广泛应用的断路开关,其具有结构简单、成本低、截断能力强的特点。介绍了电爆丝工作的基本原理,其本质为一个快速增长的电阻,利用高阻抗来实现断流。通过PSpice软件建立了电流通过电爆丝断路开关工作时,其电阻变化的模型,从而可以仿真电爆丝断路开关的工作过程。设计了一组电爆丝断路开关的实验,PSpice模型仿真结果同实验结果进行了比较。结果发现,该模型起爆时刻,产生电压幅值等方面和实验结果比较接近,说明该模型比较科学合理,对以后的电爆丝断路开关的设计具有较大的参考价值。分析了产生误差的原因及该种仿真方法的局限性。
PSpice模型 电感储能系统 电爆丝断路开关 高压试验 PSpice model inductance storage system electric exploding opening switch high voltage experiment 强激光与粒子束
2014, 26(4): 045036
西北核技术研究所, 高功率微波技术重点实验室, 西安 710024
提出了磁饱和直线变压器驱动源(LTD)泵浦半导体断路开关(SOS)产生高重复频率短脉冲的技术路线。利用LTD初次级线圈为单匝同轴结构和磁芯可饱和的特点,实现快速反向泵浦SOS,通过多级LTD模块叠加获得高电压输出。采用射频金属氧化物场效应晶体管(RF MOSFET)作为LTD初级电路的主开关,将SOS正向泵浦电流脉冲时间降至数十ns,泵浦电流脉冲重复频率最高可达MHz。最终研制出一台基于SOS的10级磁饱和LTD型脉冲发生器,输出电压约11 kV,电流220 A,脉冲宽度约2 ns,重复频率为20 kHz。实验验证了磁饱和直线脉冲变压器泵浦SOS产生高重复频率短脉冲的技术路线可行。
半导体断路开关 直线变压器驱动源 重复频率 短脉冲发生器 semiconductor opening switch linear transformer driver repetitive frequency nanosecond pulse generator 强激光与粒子束
2014, 26(4): 045011
西安交通大学 电子物理与器件教育部重点实验室, 西安 710049
在维持电路参数同比变化和通过半导体断路开关(SOS)的电流密度不变的基础上,提出了一种SOS截断特性模拟的缩比模型,并可在Silvaco ATLAS软件中应用。在以不同的缩比率选取等效SOS横截面积的情况下,将原电路中串联的100个二极管等效为若干个二极管,模拟得到了相同的二极管电流和电压波形。模拟结果表明,该模型不仅可以得到正确的SOS瞬态截断过程,而且可将计算速度提高近百倍。通过对SOS截断过程中载流子分布和电场分布变化过程的分析发现,SOS的截断过程发生在nn+区。
半导体断路开关 缩比模型 截断过程 semiconductor opening switch scaled model opening process