1 Institute of Electronics Engineering，China Academy of Engineering Physics，Mianyang62999，China
2 Institute of Electronics Engineering，China Academy of Engineering Physics，Mianyang62999，China
在太赫兹成像中，阵列的稀疏化设计会引起栅旁瓣的恶化。在传统相干因子（Coherence Factor，CF）加权的基础上设计了适用于多输入多输出（Multiple-Input Multiple-Output，MIMO）稀疏成像阵列的相位相干因子（Phase Coherence Factor，PCF)和符号相干因子（Sign Coherence Factor，SCF）两种加权栅旁瓣抑制方法。对点目标仿真结果表明，CF、PCF和SCF栅旁瓣抑制后峰值旁瓣比(Peak Side Lobe Ratio，PSLR)分别降低了17.81 dB、24.56 dB和22.74 dB，在340GHz 4T16R稀疏阵列成像系统中的实测结果也表明，PCF和SCF对栅旁瓣的抑制效果分别优于CF 6dB和4dB以上。
相干因子 栅旁瓣抑制 太赫兹成像 MIMO稀疏阵列 coherence factor grating lobes suppression terahertz imaging MIMO sparse array imaging
上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
散斑可见度光谱法是近年来兴起的研究密集颗粒流运动的新方法。针对散斑可见度光谱法测取颗粒温度的实验中,如何消除相干因子测量过程中的误差进行了研究。比较了静态散斑对比度以及散斑对比度系数的计算方法以及消除相干因子的方法,实验测量结果表明,由散斑对比度系数消除相干因子的方法能最大程度地保留测量准确度。该方法能够消除由环境不同及激光不稳定所带来的误差,使得同类实验具有更好的对比性。同时给出了计算量较大导致的时间分辨率较低这一问题的解决方法。
散斑可见度光谱法 相干因子 颗粒流 颗粒温度 speckle visibility spectroscopy coherence factor particle flow granular temperature
1 内蒙古师范大学物理与电子信息学院, 内蒙古 呼和浩特 010022
2 内蒙古师范大学图书馆, 内蒙古 呼和浩特 010022
利用全量子理论及部分转置矩阵负本征值的方法,研究了存在相位退相干时多光子T-C模型中 两个二能级原子与数态光场相互作用系统中两原子的纠缠演化特性。讨论了相位退相干系数、 原子间偶极-偶极相互作用系数、跃迁光子数对原子间纠缠演化特性的影响。结果表明:相位退相干 因子并不能完全破坏两原子间的相干性,而是衰减了原子间纠缠度的振荡幅度。随着偶极相互作用系 数的增大和跃迁光子数的增多,两原子最终处于纠缠度值较稳定的纠缠态;两纠缠原子相干性越好, 两原子越容易达到纠缠度值较大且稳定的纠缠态。
量子光学 纠缠特性 部分转置矩阵负本征值 相位退相干因子 quantum optics entangled characteristics negative eigenvalues of partial transposition phase decoherence
1 内蒙古师范大学物理与电子信息学院, 内蒙古 呼和浩特 010022
2 内蒙古师范大学图书馆, 内蒙古 呼和浩特 010022
利用全量子理论及部分转置矩阵负本征值的方法，研究了存在相位退相干时多光子T-C模型中两个二能级原子与二项式光场相互作用系统中两原子的纠缠演化特性。讨论了二项式光场的最大光子数M、二项式光场系数η、相位退相干系数γ、跃迁光子数m对原子间纠缠度的影响。结果表明: 在γ的作用下，随着M的增加，两原子间纠缠较容易达到稳定的状态，且纠缠度的稳定值变大; 选取适当的参量后，随着η的增加，两原子间的纠缠更容易趋于稳定状态，纠缠度稳定值将变小; η越小，纠缠演化的周期越明显。随着γ的增大，纠缠演化不具有周期性易趋于退纠缠。随着m的增大，振荡周期缩短，纠缠强度减弱。
量子光学 二项式光场 部分转置矩阵负本征值 相位退相干因子 quantum optics binomial state for radiation field negative eigenvalues of the partial transposition phase decoherence
1 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 应用光学国家重点实验室，吉林 长春 130033
2 中国科学院 研究生院，北京 100039
为了使曝光波长为193 nm的深紫外光刻系统能够制备曝光线宽为90 nm及以下节点的集成电路芯片，设计了采用环形照明模式且部分相干因子σ连续可调，能满足不同曝光线宽要求的光刻照明系统光束整形单元。首先，用几何光学定律和三角函数推导了轴锥镜移动距离与光束放大倍率之间的函数关系；根据对变倍凸轮的合理性和装调公差灵敏度的分析，确定了轴锥镜组参数的变化范围，完成了变倍镜组与轴锥镜组合的光束整形单元的设计。最后，在组合系统后面加入了可连续变倍的缩束系统，实现了σ的连续可调。设计结果显示，在环形照明模式下，归一化的环宽Δσ和外环直径σouter分别在［0.25,1］和［0.4,1］内连续可调,满足设计要求。
深紫外光刻 环形照明 轴锥镜 部分相干因子 无焦变倍镜组 deep ultraviolet lithography annular illumination axicon partial coherent factor afocal zoom system
