纳米银焊膏能够实现低温连接、高温服役,同时具有优异的导电、导热性能,其缺点是非常容易发生电化学迁移。本文采用脉冲激光沉积成功制备了完全互溶的Ag-10%Pd纳米合金,并将其用于SiC芯片的封装互连,旨在提高纳米颗粒烧结层的抗电化学迁移能力,同时保持纳米颗粒的低温烧结特性。研究表明,采用Ag-10%Pd纳米合金烧结连接SiC芯片及镀银的直接覆铜基板(DBC),在250 ℃的温度下可以实现剪切强度为21.89 MPa的接头,达到了美国军标MIL-STD-883K的要求(7.8 MPa)。Ag-Pd纳米合金抗电化学迁移能力是同等条件下纯银的4.3倍。在Ag-Pd纳米合金中,银离子的析出受到PdO的阻碍,迁移产物呈云雾状分布,有效延长了电极的短路时间。脉冲激光沉积Ag-Pd纳米合金的烧结避免了传统银、钯颗粒直接混合方法后续高达850 ℃的合金化过程。Ag-Pd纳米合金作为封装互连材料是实现低温连接的有效保证,并有望为功率电子器件的高可靠性封装提供解决方案。

用硼氢化钠还原法制备了金硒(AuSe)纳米合金。 用单链核酸适配体(aptamer)修饰AuSe纳米合金制备了汞离子的核酸适配体纳米探针(Apta-AuSe)。 在pH 6.8 Na2HPO4-NaH2PO4缓冲溶液中及NaCl存在下, Apta-AuSe纳米探针亦不聚集； 当Hg2+存在时, 它可以稳定aptamer序列中的T-T错配, 形成较稳定的双链T-Hg2+-T错配物, 从而使释放出来的AuSe纳米合金聚集形成较大的微粒, 导致590 nm处共振散射峰增强。 Hg2+浓度在1.3～1 466 nmol·L-1范围内与共振散射光强度呈良好线性关系, 其回归方程和检出限分别为ΔI590 nm=0.603ｃ+2.0和0.74 nmol·L-1。 该方法用于水样中Hg2+的检测, 结果满意。