本文研究了N型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱空间间接发光谱的外加电场依赖性。实验结果表明，其发光谱只显示了一个线性偏振度较低的发光峰。这是由于掺杂电子屏蔽了Ⅱ型量子阱中的内秉电场，并使得两个ZnSe阱层具有相同的势。同时该发光谱具有反玻耳兹曼(inverse-Boltzmann)分布，并且线型和线性偏振度在整个栅极电压变化范围内没有显示明显改变。然而，其光谱积分强度却显著地依赖栅极电压的极性变化：在正栅极电压范围内(7~0 V)其光谱积分强度几乎是一个常数，但随着负栅极电压的增加(-1~-7 V)，其光谱积分强度却显著降低。这些行为显示了该样品的空间间接发光谱具有负的带电激子的特征。这个常数的光谱积分强度被解释为掺杂层对外加电场的屏蔽，而这个显著降低的光谱积分强度则被归因于外加电场对掺杂电子的排斥(致使激光激发区域内的电子浓度降低)，从而导致了负带电激子数量的减少。此外，本文也初步探讨了该空间间接带电激子的可能构成模型。
光致发光 带电激子 量子阱 电场 N型掺杂ZnSe/BeTe 线性偏振度 photoluminescence charged exciton quantum well electric field N-doped ZnSe/BeTe linear polarization degree
1 安徽大学物理与材料科学学院, 安徽 合肥 230601
2 中国科学院通用光学定标与表征技术重点实验室, 安徽 合肥 230031
3 滨州学院物理与电子科学系, 山东 滨州 256603
介绍了一种新型高精度大动态范围可调线性偏振度参考光源(VPOLS-II),在0.46~2μm 波段内线性偏振度调节范围达到0~0.72.VPOLS-II采用四片平板玻璃起偏的工作原理,辐射光源经过积分球和扩束器准直系统形成具有较高均匀性和平行度的入射光,再经过偏振态调节器输出不同线性偏振度的偏振光.将光谱偏振分析仪实验测量结果与理论计算值进行了比对,分析了VPOLS-II输出线性偏振度不确定度的影响因素.结果表明,线性偏振度范围0~0.72 内,VPOLS-II 的线性偏振度与理论预测值的差异小于6×10-3.在线性偏振度范围0.01~0.09 和0.09~0.72 内,线性偏振度的不确定度分别为8.8%~0.936%和0.936%~0.184%.这种新型参考光源可用于偏振光学遥感器的实验室偏振定标和系统级性能检测.
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