作者单位
摘要
浙江大学光电系现代光学仪器国家重点实验室光与电磁波研究中心,杭州,310027
本文分析了以硅基底上二氧化硅波导为代表的弱导波导多模干涉(MMI)耦合器件输入(出)波导位置及宽度和MMI长度等结构参量对器件性能的影响.提出了参量空间法,在给定工艺材料参量和多模波导宽度情况下,通过匹配各结构参量,制出均匀性好、附加损耗低的弱导波导多模干涉耦合器件.
多模波导干涉耦合器 模式传输分析 自成象理论 
光子学报
2002, 31(3): 354

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