利用金辅助的金属氧化物化学汽相沉积法(MOCVD)在汽液固(VLS)生长机制下GaAs (111) B衬底上生长了GaAs纳米线。研究了三个生长温度（500 ℃,530 ℃,560℃）对纳米线形貌及晶体质量的影响。在较低生长温度时，纳米线生长速率与纳米线直径无关，且纳米线上下直径分布均匀。随着温度的增高，纳米线成明显的圆锥状。当温度升高时，相对较粗的纳米线，长度缩短，这是因为在高温时VLS生长被抑制；对于相对较细的纳米线，长度是先减少后增大，这是由于在温度升高时Ga原子的扩散作用增大。温度的升高还导致了纳米线晶体质量的下降。低温时只有少量缺陷在相对较细的纳米线中出现；对于相对较粗的纳米线，其晶体结构为纯的闪锌矿结构。温度增高导致了Au-Ga合金纳米颗粒的不稳定，从而造成了缺陷的增加。

采用自制的液相金属氧化物化学汽相沉积(LP-MOCVD)设备,在Ge(100)向(110)面偏9°外延生长出GaAs单晶外延层,对电池材料进行了X射线衍射测试分析,半峰宽为52″.讨论了外延生长参量对GaAs/Ge的影响,表明抑制反向畴不仅与过渡层有关,而且与GaAs单晶外延生长参量有关.适当的生长速率可有效地抑制反向畴的生长.