电子纸用柔性薄膜晶体管的研究进展
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1 引言
柔性显示器因其超薄、轻便、耐用和舒适的特性有望成为下一代显示器。在众多柔性显示器中,可弯曲、形态多样的电子纸显示器凭借独特的优势脱颖而出,引起研究人员的关注。电子纸是一种类纸显示器,重量轻、便于携带,利用反射环境光进行显示,环境光越强,显示器亮度越高,具备独特的强光可读性,不易产生视觉疲劳,具有超高对比度、宽视角等优良显示特性[1-3]。此外,电子纸显示器电池使用寿命更长,静态图像功耗也更低,是一款耐用且节能的新型绿色电子产品,更符合当代消费者需求[4]。
电子纸显示器依照显示原理有多种分类,常见的有电泳式[5-6]和电润湿式[7-9]。前者利用带电粒子的电泳原理,即两种异性带电粒子在电场的驱动下,运动到显示器的两极,使得透明电极的一侧显示出一种带电粒子的色彩。而没有电场作用时,带电粒子悬停于液体中保持不动。该特性称为双稳态特性,电泳显示器也因此具有低功耗特性,因为只有在需要切换图像时消耗电能。后者借助控制电压来控制被包围的液体的表层,通过液体张力的变化,导致像素的变化。采用电湿润技术制造的电子纸像素转换非常迅速,同时具有结构简单、省电、可用于柔性显示等特点,其亮度和对比度远超过现有的其他电子纸显示技术。
显示器像素的驱动方式通常有无源选址驱动(Passive Matrix,PM)和有源选址驱动(Active Matrix,AM)两种。如采用无源矩阵驱动,需要较复杂的外围设计,故柔性化较难;而有源矩阵驱动的外围较简单且阵列性能较高,因此柔性电子纸显示器通常采用有源驱动方式。在这种驱动方式中,薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)作为像素的开关元器件,其性能十分重要[10]。首先也是最重要的是其应具有优良的柔性,这要求在制备过程中应避免高温工艺,以与柔性基板兼容。其次,在电子纸的使用过程中,弯曲带来的机械应力和电子纸更新内容时产生的电应力都会对器件产生影响,这就要求TFT器件具有优秀的稳定性和耐久性,在重复机械应力和电应力下仍能稳定工作。在显示器驱动背板的TFT阵列中,TFT还应当具有优良的均匀性以保证显示器能够正常工作。对于利用反射光的电子纸显示器来说,光路中的遮光部分如TFT结构会对最终产品的显示效果有着不利影响[11],因此TFT的光学透明性也非常重要。
因此,介绍柔性TFT驱动背板的研究进展是一项非常有意义的工作。电子纸显示器中主要的TFT按有源层材料可分为3种:有机薄膜晶体管(Organic Thin Film Transistor,OTFT)、非晶硅薄膜晶体管(Amorphous Silicon Thin Film Transistor,a-Si TFT)、金属氧化物薄膜晶体管(Metal Oxide Thin Film Transistor,MOTFT)。有机薄膜晶体管迁移率通常为0.1~10 cm2·V-1·s-1,制造成本和工艺复杂度偏高,工艺温度为室温至250 ℃;非晶硅薄膜晶体管迁移率一般为0.5~1 cm2·V-1·s-1,制造成本和工艺复杂度均相对较低,但工艺温度一般较高,为250~350 ℃;金属氧化物薄膜晶体管的迁移率一般高达10~100 cm2·V-1·s-1,工艺复杂度低,工艺温度为室温至350 ℃。本文从柔性、性能均匀性、稳定性、电性能等多方面详细介绍了它们在电子纸显示器中的研究进展,最后进行了对比总结,提出MOTFT凭借其独有的高迁移率、低加工温度以及独特的透明性可能在未来成为电子纸显示器驱动柔性背板的最佳选择。
2 OTFT在电子纸显示器中的应用
2004年,Gelinck等人展示了一款25 μm厚聚酰亚胺(PI)上柔性并五苯TFT驱动的单色电泳显示器(Electrophoretic display,EPD)。在TFT背板制造完成后,层压一层电子墨水(E-ink)层以用作显示器的前板,其曲率半径可低至1 cm而不显著降低性能,具体见
![PI基板上OTFT驱动的电子纸显示器。(a)一个像素的横截面;(b)电泳显示器弯曲到一个约1 cm的曲率半径[12]。](/richHtml/yjxs/2022/37/8/948/img_03.jpg)
图 1. PI基板上OTFT驱动的电子纸显示器。(a)一个像素的横截面;(b)电泳显示器弯曲到一个约1 cm的曲率半径[12]。
Fig. 1. Electronic paper display driven by OTFT on PI substrate.(a) Cross-section of one pixel;(b) Electrophoretic display bent to a curvature radius of about 1 cm[12].
2006年,Burns等人在125 μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基板上制备使用聚芴聚合物半导体有源层的OTFT有源驱动背板,并层压电子墨水成像膜制造了一款电子纸显示器[13]。器件迁移率为0.03 cm2·V-1·s-1,开关电流比为105~106,输出特性如
![TFT性能。(a) PET上TFT的输出特性(L=10 µm,W=240 µm);(b) 60×80有源矩阵阵列上100个TFT通断电流的均匀性[14]。](/richHtml/yjxs/2022/37/8/948/img_04.jpg)
图 2. TFT性能。(a) PET上TFT的输出特性(L=10 µm,W=240 µm);(b) 60×80有源矩阵阵列上100个TFT通断电流的均匀性[14]。
Fig. 2. TFT performance. (a) Output characteristics of TFT on PET (L=10 µm,W=240 µm); (b) Uniformity of 100 TFT ON and OFF currents across a 60 × 80 active-matrix array[14].
Burns等人还测定了TFT器件承受机械应力和电应力的稳定性。柔性显示器可以弯曲到5 mm的曲率半径而不显著降低器件性能,具体如
![(a)柔性显示器弯曲至5 mm曲率半径时运行的照片;(b) 弯曲至5 mm曲率半径前后的TFT性能[14]。](/richHtml/yjxs/2022/37/8/948/img_05.jpg)
图 3. (a)柔性显示器弯曲至5 mm曲率半径时运行的照片;(b) 弯曲至5 mm曲率半径前后的TFT性能[14]。
Fig. 3. (a) Photograph of flexible display in operation while being bent to a radius of curvature of 5 mm; (b) TFT performance before and after flexing to a radius of curvature of 5 mm[14].
同年,Moriya等人同样使用基于聚芴聚合物(F8T2)半导体TFT开发了一款60.96 mm (2.4 in)的驱动背板用于制作微胶囊电泳显示器,其创新点在于整个显示器制作过程中的工艺温度极低,最高温度仅有约80 ℃[15]。在-40 V的栅极偏压下,器件场效应迁移率为0.002 cm2·V-1·s-1,0 V和-40 V之间的开关电流比为2×106,适度卷曲或暴露于空气中1 500 h都不会影响器件开关比等性能,具有可靠的稳定性,具体如
![(a)聚合物薄膜晶体管的转移特性;(b)开态电流和关态电流随暴露在空气中的时间的变化[15]。](/richHtml/yjxs/2022/37/8/948/img_06.jpg)
图 4. (a)聚合物薄膜晶体管的转移特性;(b)开态电流和关态电流随暴露在空气中的时间的变化[15]。
Fig. 4. (a) Transfer characteristics of polymer TFT; (b) Change of the on-current and off-current as function of exposure time to air[15].
两年后,Kim等人在200 μm厚的聚醚砜(PES)基板上制备了TIPS并五苯OTFT,迁移率为0.06 cm2·V-1·s-1,并成功驱动电子纸显示器[16]。相似的研究还有同年Lee等人报道的在200 μm厚的聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)基板上制造的152.4 mm (6 in)高可靠性五苯TFT背板[17]。器件迁移率为(0.21±0.03)cm2·V-1·s-1,电流开关比高达(3.66±2.72)×107。在152.4 mm (6 in)的阵列区域内器件性能差异不到10%,显示器在连续运行5周的过程中器件迁移率和开关比基本保持不变,表明背板具有可靠的稳定性和耐用性。2009年,Hu等人在PEN基板上制作了119.38 mm(4.7 in)OTFT-EPD,所有工艺温度均低于150 ℃[18]。OTFT器件迁移率为0.01 cm2·V-1·s-1,开关比为5×105,亚阈值摆幅1.3 V/dec。为了测试器件的均匀性,测量了250个OTFT的性能,所有器件的开关比均在105之上,迁移率的变化范围为±0.002 cm2·V-1·s-1,表明基板上的OTFTs具备优良的均匀性,具体如
![(a)从250个聚合物OTFT测得的开态电流、关态电流和开关比特性;(b) 从250个聚合物OTFTs测量的阈值电压和迁移率变化[18]。](/richHtml/yjxs/2022/37/8/948/img_07.jpg)
图 5. (a)从250个聚合物OTFT测得的开态电流、关态电流和开关比特性;(b) 从250个聚合物OTFTs测量的阈值电压和迁移率变化[18]。
Fig. 5. (a) On current,off current,and on/off ratio characteristics measured from 250 polymer OTFTs; (b) Threshold voltage and mobility variation measured from 250 polymer OTFTs[18].
2011年,Feng等人对比分析了OTFT的两种结构:顶栅底接触(Bottom-contact top gate,BCTG)式和底栅底接触(Bottom-contact bottom gate,BCBG)式[19]。通过改变像素电极和OTFT之间的层间电介质(Interlayer dielectric,ILD)厚度,绘制出两种结构的模拟转移特性曲线,具体如
![BCBG结构(a)和BCTG结构(b)中OTFT的模拟转移特性[19]](/richHtml/yjxs/2022/37/8/948/img_08.jpg)
图 6. BCBG结构(a)和BCTG结构(b)中OTFT的模拟转移特性[19]
Fig. 6. Simulated transfer characteristics of the OTFTs in BCBG structure (a) and BCTG structure (b)[19]
他们还给出栅漏寄生电容Cgd随Vgd的变化曲线,可以看出,BCBG结构的Cgd整体小于BCTG结构,这是由于后者的像素电极与栅极电极之间会形成附加电容,可以通过增加ILD厚度降低Cgd,具体如
![模拟栅漏寄生电容(Cgd)作为Vgd的函数。(a)BCBG结构;(b)BCTG结构[19]。](/richHtml/yjxs/2022/37/8/948/img_09.jpg)
图 7. 模拟栅漏寄生电容(Cgd)作为Vgd的函数。(a)BCBG结构;(b)BCTG结构[19]。
Fig. 7. Simulated gate drain parasitic capacitance (Cgd)as a function of Vgd.(a) BCBG structure; (b) BCTG structure[19].
因此,当采用OTFT作为电子纸显示器的开关时,需针对不同结构做出改良措施:BCTG OTFT需针对更大的寄生电容Cgd设计更厚的ILD层缓解,无需考虑像素电极干扰;而对于BCBG OTFT,Cgd要小得多,但设计时需要更宽的栅极电压摆幅来补偿转移特性的偏移。2014年,Park等人展示了88.9 mm (3.5 in)具有良好弯曲性的OTFT-EPD[20]。OTFT器件制备工艺温度低于140 ℃,并在曲率半径为4 mm的100 000次极端循环弯曲应力下保持稳定的电性能,表现出优异的柔性。这一研究结果为我们展示了溶液处理OTFT在柔性电子元件中的巨大应用潜力。一年后,在之前研究的基础上,Park等人继续从工业适用性的角度详细介绍了OTFT背板的制备工艺,将柔性电泳显示器的尺寸扩展到152.4 mm (6 in)[20]。2021年,Facchetti等人报告了高性能OTFTs的规模化生产,使用Flexterra OTFT技术制作出了172.72 mm(6.8 in)英寸的柔性出色且稳定耐用的EPD[21],为OTFT背板的大规模制备提供了新思路。
有机半导体(Organic semiconductor)凭借其固有的柔性和较低的沉积温度,为柔性有源驱动背板的制造提供了一条途径。
3 a-Si TFT在电子纸显示器中的应用
Kim等人的研究小组在a-Si TFT-EPD研究领域做出了重要贡献。2007年,他们使用a-Si TFT开发了一款355.6 mm(14 in)的柔性彩色电子纸,成品具有真正的纸质外观,十分灵活,且具有宽视角和高对比度[22]。3年后,在之前的研究基础上,他们又对比分析了U型双TFT和双栅TFT两种新型结构的TFT的性能,结果如
![金属箔上U型双TFT(a)和双栅TFT(b)的转移曲线[23]](/richHtml/yjxs/2022/37/8/948/img_10.jpg)
图 8. 金属箔上U型双TFT(a)和双栅TFT(b)的转移曲线[23]
Fig. 8. Transfer curves of U-type dual TFT(a) and dual-gate TFT (b) on a metal foil[23]
他们还沿用U型双TFT结构,成功在不锈钢基板上制造出更大尺寸(约482.6 mm(19.in))的a-Si TFT柔性电子纸显示器[24]。制得的器件迁移率为0.35 cm2·V-1·s-1,亚阈值摆幅为0.69 V/dec,转移特性如
![250 ℃不锈钢衬底上制备的a-Si∶H TFT的初始(灰色曲线)、热处理(蓝色曲线)和偏压温度应力(红色曲线)特性[24]。](/richHtml/yjxs/2022/37/8/948/img_11.jpg)
图 9. 250 ℃不锈钢衬底上制备的a-Si∶H TFT的初始(灰色曲线)、热处理(蓝色曲线)和偏压温度应力(红色曲线)特性[24]。
Fig. 9. Initial (Gray curves),heat treatment (Blue curves),and bias-temperature stress (Red curves)characteristics of a-Si∶H TFTs fabricated on stainless steel substrate at 250 ℃[24].
2011年,Akamatsu等人展示了一款337.82 mm(13.3 in)的柔性彩色a-Si TFT-EPD[25]。在玻璃基板上层压塑料薄膜,并在其上开发出a-Si TFT阵列,整个工艺过程温度保持在180 ℃以下。测试了a-Si TFT背板的环境稳定性和机械稳定性,结果如
![(a)在85 °C和相对湿度为85%的环境试验前后,非晶硅TFT在塑料薄膜上的转移特性;(b) 在r=5 mm的情况下,在10万次弯曲试验前后测量的像素TFT的转移特性[25]。](/richHtml/yjxs/2022/37/8/948/img_12.jpg)
图 10. (a)在85 °C和相对湿度为85%的环境试验前后,非晶硅TFT在塑料薄膜上的转移特性;(b) 在r=5 mm的情况下,在10万次弯曲试验前后测量的像素TFT的转移特性[25]。
Fig. 10. (a)Transfer characteristics of an a-Si TFT on a plastic film before and after an environmental test at 85 ℃ and relative humidity of 85%; (b)Transfer characteristics of pixel TFT measured before and after 100 000 times bending test with r=5 mm[25].
在电子纸显示器中,使用n沟道型TFT传输高电压有一定困难,在选择高电压到像素电极的过程中也会出现电压的损失。为此,Moon等人使用a-Si TFT开发了一种电子纸驱动电路,不需要高压电源,简化了电路,并且加入自举电路的设计以克服传输高电压过程中的电压损失[26]。
对于a-Si TFT而言,在电子纸中的应用仍受到低迁移率和工艺温度的阻碍。
4 MOTFT在电子纸显示器中的应用
与传统的a-Si TFT相比,MOTFT迁移率一般大一个数量级以上,亚阈值电压摆幅要小数倍,且在电偏压下有更好的稳定性。对于柔性塑料衬底而言,即使在室温下制造MOTFT也可以取得令人满意的性能,而a-Si 往往需要提高工艺温度来提高器件性能指标。在电子纸显示器中,光路中的障碍物,如TFT,以及TFT的镜面反射都会对显示器产品的反射率造成不利影响,影响显示质量[11]。而非晶氧化物半导体独有的透明性,更提高了其在电子纸显示器中的应用潜力。
2005年,Toppan Printing公司推出了一款使用a-IGZO TFT的黑白电子纸[27]。第二年,他们又开发了一种全彩电子纸,采用了一种新颖的“前驱动”结构,其中滤色器阵列和TFT阵列利用a-IGZO TFT的高透明度集成在前平面中。在这种结构中,滤色器和TFT高度对齐,具体如
![(a) 传统彩色电子纸的结构;(b)新颖的“前驱动”结构[28]。](/richHtml/yjxs/2022/37/8/948/img_13.jpg)
图 11. (a) 传统彩色电子纸的结构;(b)新颖的“前驱动”结构[28]。
Fig. 11. (a) Structure of conventional color electronic paper;(b) Novel “front drive” structure[28].
他们测量了每个子像素(R,G,B,W)在有透明TFT和无透明TFT下的透射光谱,以评估a-IGZO TFT的透明性能,具体结果如
![有透明TFT和无透明TFT时每个子像素的透射光谱[28]](/richHtml/yjxs/2022/37/8/948/img_14.jpg)
图 12. 有透明TFT和无透明TFT时每个子像素的透射光谱[28]
Fig. 12. Transmission spectra of each subpixel with and without transparent TFT[28]
2008年,他们沿用前驱动结构,探究非晶氧化物TFT制作更高分辨率电子纸显示器的可行性,最终将分辨率从原来的120×160提高到640×480。a-IGZO TFT的退火温度也从原来的200 ℃略微降低到180 ℃,而所有膜层的制备都是在室温下进行的,实现了超过107的高开关比和2.8 cm2·V-1·s-1的场效应迁移率,转移特性如
2010年,Lee等人展示了一款彩色ZnO TFT-EPD,背板透明性良好,透射率约为80%,器件迁移率为4.6 cm2·V-1·s-1,亚阈值摆幅为0.23 V/dec,关态电流小于10-13A,开关电流比约为108,转移特性曲线如
2011年,Kaftanoglu等人在低温(200 ℃)下开发了一款可用于电子纸驱动的氧化铟锌(IZO)TFT驱动背板[31]。器件饱和迁移率为14.2 cm2·V-1·s-1,亚阈值摆幅为0.22 V/dec,开关比大于109。他们做了大量的应力测试,在10 000 s直流应力作用后,IZO TFT的阈值电压变化在2.5 V范围内,饱和电流变化约为19%;而a-Si∶H TFT的变化高达10 V,饱和电流变化为71%。这些结果都表明IZO TFT器件具有更好的电压应力稳定性。2015年,Fukada等人首次成功制作了全丝网印刷IZO TFT背板,为氧化物TFT驱动背板的大面积、低成本制备提供了更多方案选择[32]。
除了用作像素开关,MOTFT还被用作与电子纸相关的其他电路中,如Schimpf等人在2017年使用IGZO-TFT工艺开发出的柔性基板上的Dickson电荷泵,用于提供足够的电压来快速更新电子纸的内容[34]。器件具有10 cm2·V-1·s-1的场效应迁移率、0.18 V/dec的亚阈值斜率、2.7 V的阈值电压和大约109的开关比,其特性如
![(a)转移特性曲线,在无栅极偏置应力的情况下测量10次;(b)输出特性曲线[33]。](/richHtml/yjxs/2022/37/8/948/img_17.jpg)
图 15. (a)转移特性曲线,在无栅极偏置应力的情况下测量10次;(b)输出特性曲线[33]。
Fig. 15. (a) Transfer characteristic curves,measured 10 times without gate bias stress; (b) Output characteristic curves[33].
5 总结与展望
本文按照薄膜晶体管有源层材料分类,介绍了有机薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管以及金属氧化物薄膜晶体管在电子纸显示器中的应用。尽管有机薄膜晶体管的柔性十分出色,但目前量产尚未实现,故其很难在柔性电子纸显示器中实际应用;a-Si薄膜晶体管成本较低,但因迁移率较低,故在高性能柔性电子纸中应用受限;相比之下,金属氧化物薄膜晶体管具有透明、高迁移率和已量产等优点,符合柔性电子纸显示器朝高性能化方向发展的要求。
近年来,电子纸显示器中的TFT背板广受研究人员关注,有研究者通过优化算法来降低TFT驱动背板的电流以实现EPD的低功耗[34]。也有研究者在TFT阵列中集成特殊结构,以解决电子纸显示器手写与护目显示的问题[35]。但电子纸显示器的显示体验要想在未来追上液晶显示,还需要降低功耗,提高屏幕刷新率、柔性和全尺寸范畴的高性价比等技术指标。对于有机TFT和a-Si TFT来说,要想在未来电子纸显示器中有更进一步的应用,应当注重提高器件场效应迁移率和开关比,以适应电子纸显示器更高刷新率和分辨率的需求。而金属氧化物TFT性能易受水、氧等环境因素影响,在未来应致力开发提高器件稳定性的方法。由于氧空位的存在使得氧化物半导体趋于n型施主缺陷掺杂,难以获得p型导电特性。而p型氧化物TFT的开发将推动n型和p型器件的互补技术,这对于实现电子纸的低功耗驱动电路具有重要意义。我们相信随着越来越多的研究人员投入到面向柔性电子纸显示器的薄膜晶体管的深入的研究中去,在不久的将来其制备方法和器件性能都会得到更进一步的提升,我们也相信性能出众的金属氧化物薄膜晶体管有潜力成为制备大面积、低成本、低功耗的电子纸显示器驱动背板的最佳选择。
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