1 南开大学物理科学学院,天津,300071
2 南开大学信息技术科学学院,天津,300071
3 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220
半导体材料的纵光学声子与等离子体激元耦合模(LOPC模)能够提供材料电学方面的相关信息.本文在室温下测得了n型4H-和6H-SiC的拉曼光谱,分析了掺入的杂质对于SiC晶体拉曼光谱的影响,通过拟合n型4H-和6H-SiC晶体的LOPC模的线型得到等离子体频率,并由此从理论上计算了载流子浓度.载流子浓度的理论计算值与霍尔测量的结果符合得很好.研究结果进一步证实了对于n型4H-和6H-SiC晶体,可以通过分析LOPC模的线形来较准确地给出相关材料的载流子浓度.
拉曼光谱 LOPC模 自由载流子浓度 SiC
