半导体光电, 2016, 37 (4): 524, 网络出版: 2016-09-12  

蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延膜的应变分析

Strain Analysis of AlGaN Epitaxial Film Grown on Sapphire Substrate
作者单位
中国兵器工业集团公司第53研究所, 济南 250031
基本信息
DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2016.04.015
中图分类号: O649.1
栏目: 材料、结构及工艺
项目基金: 国防基础科研计划项目(J092009A001)
收稿日期: 2015-11-02
修改稿日期: --
网络出版日期: 2016-09-12
通讯作者: 王雪蓉 (wangxuerong19851228@126.com)
备注: --

王雪蓉, 刘运传, 孟祥艳, 周燕萍, 王康, 王倩倩. 蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延膜的应变分析[J]. 半导体光电, 2016, 37(4): 524. WANG Xuerong, LIU Yunchuan, MENG Xiangyan, ZHOU Yanping, WANG Kang, WANG Qianqian. Strain Analysis of AlGaN Epitaxial Film Grown on Sapphire Substrate[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2016, 37(4): 524.

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