半导体光电, 2016, 37 (4): 524, 网络出版: 2016-09-12  

蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延膜的应变分析

Strain Analysis of AlGaN Epitaxial Film Grown on Sapphire Substrate
作者单位
中国兵器工业集团公司第53研究所, 济南 250031
引用该论文

王雪蓉, 刘运传, 孟祥艳, 周燕萍, 王康, 王倩倩. 蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延膜的应变分析[J]. 半导体光电, 2016, 37(4): 524.

WANG Xuerong, LIU Yunchuan, MENG Xiangyan, ZHOU Yanping, WANG Kang, WANG Qianqian. Strain Analysis of AlGaN Epitaxial Film Grown on Sapphire Substrate[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2016, 37(4): 524.

参考文献

[1] 康伟.AlGaN基p-i-n型日盲紫外探测器结构材料的生长与表征[D].武汉: 华中科技大学, 2012.

    Kang Wei.Growth and characterization of strucural material of AlGaN-based p-i-n solar blinded UV detectors[D]. Wuhan: Huazhong University of Science and Technology, 2012.

[2] 谢自力,张荣, 修向前, 等. 用于紫外线探测器DBR结构的的高质量AlGaN材料MOCVD生长及其特性研究[J]. 物理学报, 2007, 56(11): 6717-6720.

    Xie Zili,Zhang Rong, Xiu Xiangqian, et al. MOCVD growth and characterization of high-quality AlGaN materials for UV detector DBR structures[J]. Acta Physica Sinica, 2007,56 (11): 6717-6720.

[3] 张伟.AlGaN/GaN超晶格红外/紫外双色光电探测器研究[D]. 西安: 西安电子科技大学, 2013.

    Zhang Wei.Study on AlGaN/GaN superlattice IR/UV photodectors[D]. Xi’an: Xidian University, 2013.

[4] 周元俊,谢自力, 张荣, 等. 薄膜材料研究中的XRD技术[J]. 微纳电子技术, 2009, 46(2): 109.

    Zhou Yuanjun,Zhang Zili, Zhang Rong, et al. XRD technique in research of thin film materials[J].Micronanoelectronic Technol., 2009,46(2): 109.

[5] 陈勇,邓宏, 姬宏. 利用高分辨X射线衍射仪表征GaN薄膜的结构特性[J]. 分析测试技术与仪器, 2009,15(1): 21-22.

    Chen Yong,Deng Hong, Ji Hong. Characterization of structure of GaN films by high resolution X-ray diffraction analysis[J]. Analysis and Testing Technol. and Instruments, 2009,15(1): 21-22.

[6] 史会芳.高Al组分AlGaN外延膜的测试与表征[D]. 西安: 西安电子科技大学, 2010.

    Shi Huifang.Analysis and testing of high Al component AlGaN epitaxial layers[D]. Xi’an: Xidian University, 2010.

[7] 许振嘉.半导体的检测与分析[M]. 北京: 科学出版社, 2007: 142-146.

    Xu Zhenjia.Semiconductor Detection and Analysis[M]. Beijing: Science Press, 2007: 142-146.

[8] 丁志博,姚淑德, 王坤, 等. Si(111)衬底上生长有多缓冲层的六方GaN晶格常数计算和应变分析[J]. 物理学报, 2006, 55(6): 2977-2980.

    Ding Zhibo,Yao Shude, Wang Kun, et al. Characterization of crystal lattice consant and strain of GaN epilayers with different AlxGa1-xN and AlN buffer layers grown on Si(111)[J]. Acta Physica Sinica, 2006, 55(6): 2977-2980.

[9] 王欢,姚淑德, 潘尧波, 等.用卢瑟福背散射/沟道技术及高分辨X射线衍射技术分析不同Al和In含量的AlInGaN薄膜的应变[J]. 物理学报, 2007, 56(6): 3350-3353.

    Wang Huan,Yao Shude, Pan Yaobo, et al. Strain in AlInGaN thin films caused by diffent contents of Al and In studied by Rutherford backscattering/channeling and high resolution X-ray diffraction[J]. Acta Physica Sinica, 2007,56(6): 3350-3353.

王雪蓉, 刘运传, 孟祥艳, 周燕萍, 王康, 王倩倩. 蓝宝石衬底上生长的铝镓氮外延膜的应变分析[J]. 半导体光电, 2016, 37(4): 524. WANG Xuerong, LIU Yunchuan, MENG Xiangyan, ZHOU Yanping, WANG Kang, WANG Qianqian. Strain Analysis of AlGaN Epitaxial Film Grown on Sapphire Substrate[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2016, 37(4): 524.

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