光子学报, 2018, 47 (3): 0304002, 网络出版: 2018-02-01
In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性
Response and Electrical Characteristics of In0.53Ga0.47As/InP Avalanche Photodiode
基本信息
| DOI: | 10.3788/gzxb20184703.0304002 |
| 中图分类号: | TN364 |
| 栏目: | |
| 项目基金: | 江苏省科技支撑计划(No.BE2016085),中国科学院重点前沿科学研究项目(No.QYZDB-SSW-JSC014)资助 |
| 收稿日期: | 2017-08-31 |
| 修改稿日期: | 2017-11-22 |
| 网络出版日期: | 2018-02-01 |
| 通讯作者: | 袁正兵 (zbyuan2016@sinano.ac.cn) |
| 备注: | -- |
袁正兵, 肖清泉, 杨文献, 肖梦, 吴渊渊, 谭明, 代盼, 李雪飞, 谢泉, 陆书龙. In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管响应及电学特性[J]. 光子学报, 2018, 47(3): 0304002. YUAN Zheng-bing, XIAO Qing-quan, YANG Wen-xian, XIAO Meng, WU Yuan-yuan, TAN Ming, DAI Pan, LI Xue-fei, XIE Quan, LU Shu-long. Response and Electrical Characteristics of In0.53Ga0.47As/InP Avalanche Photodiode[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2018, 47(3): 0304002.
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